一种制造亚光刻尺寸通路的方法

摘要

本发明公开了一种制造亚光刻尺寸通路(31)的方法。采用双聚合物方法形成聚合物材料叠层，其中第一聚合物层(11)具有第一蚀刻速率，第二聚合物层(13)具有第二蚀刻速率。第一蚀刻速率被预先设定为当对第一和第二聚合物层(11、13)进行各向同性蚀刻时快于第二蚀刻速率。第二聚合物层(13)由光敏材料制成，且用作第一聚合物层的蚀刻掩模。蚀刻持续进行直至第一聚合物层(11)具有小于光刻系统的光刻极限λ_L的亚光刻特征尺寸S_F。介电材料(25)淀积在蚀刻掩模(19)和第一聚合物层(11)上。第一聚合物层(11)被移除从而形成亚光刻尺寸通路(31)。

主权项

1.一种制造亚光刻尺寸通路(31)的方法，包括：在底层(15)的表面(14)上淀积第一聚合物层(11)，第一聚合物层(11)具有第一蚀刻速率；在第一聚合物层(11)上淀积第二聚合物层(13)，第二聚合物层(13)是光敏的并具有第二蚀刻速率，且其中第一蚀刻速率被预先设定成当对第一和第二聚合物层(11、13)进行各向同性蚀刻时快于第二蚀刻速率；将第二聚合物层(13)图形化以在其中确定一蚀刻掩模(19)，蚀刻掩模(19)包含位于用来进行图形化的光刻系统的光刻极限λL 范围内的特征尺寸；对第一聚合物层(11)进行各向异性蚀刻以去除第一聚合物层(11)的未被蚀刻掩模(19)覆盖的所有部分；对第一聚合物层(11)和蚀刻掩模(19)进行各向同性蚀刻使得第一聚合物层(11)以比蚀刻掩模(19)快的速率基本沿侧向(RL1)溶解，第一聚合物层(11)沿着底层(15)的表面(14)后退从而在其上确定一暴露表面(E)，并沿着蚀刻掩模(19)后退从而在其上确定一底切部分(U)，并继续进行蚀刻直至第一聚合物层(11)溶解到小于光刻极限λL的亚光刻特征尺寸SF；在底层(15)的暴露部分(E)和除了底切部分(U)以外的蚀刻掩模(19)的基本所有部分上淀积介电层(25)，介电层(25)在邻近第一聚合物层(11)的位置形成通路侧壁(27)；以及将第一聚合物层(11)和蚀刻掩模(19)移除从而形成具有基本等于亚光刻特征尺寸SF的最小特征尺寸的通路(31)。