绝缘体上硅传输门干扰的解决方法

摘要

N型MOSFET的SOI传输门干扰的解决方法，在FET的栅与体之间连接电阻器以消除干扰状态。此FET制造在衬底中，具有源、漏和栅，场效应晶体管的体是电浮置的，且基本上与衬底电隔离。提供了将FET的电浮置体耦合到栅的高阻通路，致使当栅处于低位时，在能够出现明显的热充电之前，体向低态放电，从而防止了当晶体管处于关断时电荷在体上的积累。高阻通路的电阻最好约为10¹⁰Ωμm除以传输门的宽度。

主权项

1.制造于衬底中的具有源、漏和栅的场效应晶体管，其中场效应晶体管的体是电浮置的，且晶体管基本上与衬底电隔离，其特征在于包含：将场效应晶体管的电浮置体耦合到场效应晶体管的栅的高阻通路，致使当栅处于低位时，在能够出现明显的热充电之前，体向低态放电，从而防止当晶体管处于关断时电荷在体上的积累。