用超临界二氧化碳工艺从半导体上去除光致抗蚀剂和光致抗蚀残留物

摘要

公开了从半导体基底上去除光致抗蚀剂或者光致抗蚀残留物的一种方法。将表面上有光致抗蚀剂或者光致抗蚀残留物的半导体基底放到压力室内。然后给压力室加压。将超临界二氧化碳和剥离剂化学药品导入压力室。超临界二氧化碳和剥离剂化学药品保持与光致抗蚀剂或者光致抗蚀残留物接触，直到从半导体基底去除掉光致抗蚀剂或者光致抗蚀残留物。然后冲洗和风干压力室。在另一个实施方案中，超临界二氧化碳携带有机或者无机化学药品或者有机和无机化学药品的组合进入压力室。有机或者无机化学药品或者它们的组合与晶片表面上的抗蚀剂、抗蚀残留物和有机污染物相互作用，并且将这些材料和剩余化学药品带出这个压力室。

主权项

1.从半导体基底表面去除光致抗蚀剂、光致抗蚀残留物及其组合的这一组中选择出来的材料的一种方法，包括以下步骤：a.将半导体基底表面上有这些材料的半导体基底放进压力室内；b.给压力室加压；c.将超临界二氧化碳和剥离剂化学药品导入这个压力室；d.在压力室内混合超临界二氧化碳和剥离剂化学药品，直到从半导体基底上去除掉所述材料；和e.冲洗这一压力室。