| 发明名称 | 高纯纳米硫的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种单质硫的制备方法。高纯纳米硫的制备方法，采用化学气相沉积法，其特征是它包括如下步骤：设置三个反应器，1)固态硫蒸发：将单质硫置入第一反应器中，反应器的温度为476－500℃，在惰性保护气体作用下，将固态硫蒸发；2)利用高温将单质硫原子化和高密分散：硫蒸气从第一反应器中进入第二反应器中，反应器温度为700－730℃，然后进入设有多孔阻隔层的第三反应器，第三反应器温度为850－870℃，利用高温将单质硫原子化和高密分散；3)利用常规工艺进行液相收集或在收集器中加入分散液进行液相收集；4)脱水分离并烘干得产品。制备的硫为颗粒状或丝状，其粒径为1－100纳米、纯度为99.999％。本发明反应快，产率高。 | ||
| 申请公布号 | CN1453205A | 申请公布日期 | 2003.11.05 |
| 申请号 | CN03128015.3 | 申请日期 | 2003.05.23 |
| 申请人 | 中国地质大学（武汉） | 发明人 | 皮振邦;田熙科;杨超 |
| 分类号 | C01B17/02 | 主分类号 | C01B17/02 |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人 | 胡建平 |
| 主权项 | 1、高纯纳米硫的制备方法，采用化学气相沉积法，其特征是它包括如下步骤：设置三个反应器，1)、固态硫蒸发：将单质硫置入第一反应器中，反应器的温度为476-500℃，在惰性保护气体作用下，将固态硫蒸发；2)、利用高温将单质硫原子化和高密分散：硫蒸气从第一反应器中进入第二反应器中，反应器温度为700-730℃，然后进入设有多孔阻隔层的第三反应器，第三反应器温度为850-870℃，利用高温将单质硫原子化和高密分散；3)、利用常规工艺进行液相收集或在收集器中加入分散液进行液相收集；4)、脱水分离并烘干得产品。 | ||
| 地址 | 430074湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号中国地质大学（武汉） | ||