发明名称 |
具有测试模式的半导体存储器及应用它的存储系统 |
摘要 |
本SSR SDRAM备有根据第1指令(CMDA)、第2指令(CMDB)、测试模式进入设置指令(TMESA)、第3指令(CMDC)以及测试模式寄存器设置指令(TMRSA)与时钟信号(CLK)的上升沿同步地被连续地输入而把测试模式进入信号(TMODE)置为“H”电平的测试模式进入信号发生电路。从而,不使用高电压(SVIH)就可以进入测试模式,所以即使在编入注册DIMM的情况下也可以进入测试模式。 |
申请公布号 |
CN1453793A |
申请公布日期 |
2003.11.05 |
申请号 |
CN02159805.3 |
申请日期 |
2002.12.27 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
山冈茂;久家重博 |
分类号 |
G11C11/34;G11C11/4078;G11C29/00 |
主分类号 |
G11C11/34 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
刘宗杰;王忠忠 |
主权项 |
1.一种半导体存储器,它是与时钟信号同步地取入多个外部信号的半导体存储器,其特征在于,还备有:根据所取入的多个外部信号的逻辑电平的组合,输出多个指令信号中的某个指令信号的译码器;以及根据从上述译码器中按预定的顺序输出上述多个指令信号,输出用于进入测试模式的测试模式进入信号的第1信号发生电路。 |
地址 |
日本东京都 |