制造随机存取存储单元阵列的方法

摘要

一种形成DRAM单元阵列的埋藏式电容阵列的方法包括：形成具有开口阵列的第一掩模；在开口形成N⁺掺杂区；除去掩模；形成外延硅层；用第二掩模在外延硅层形成P型井阵列；除去第二掩模；沉积衬垫氧化层以及氮化硅层，并形成开口区域；形成场氧化隔离区；单向蚀刻元件区以形成孔洞；蚀刻孔洞；蚀刻除去氮化硅层；沉积电极间介电层；沉积多晶硅掺杂层，形成电容的阳极电接触；化学机械研磨多晶硅掺杂层，直至上述基板。

主权项

1.一种制造随机存取存储单元阵列的方法，该存储单元在一半导体基板里有一埋藏式电容阵列，该方法包括下列步骤：在上述半导体基板上形成一具有一开口阵列的第一光致抗蚀剂植入掩模；利用离子植入法，在上述半导体基板的开口里形成N+掺杂区域，上述第一光致抗蚀剂植入掩模避免离子植入半导体基板的其他区域；除去上述第一光致抗蚀剂植入掩模；在上述半导体基板上生长一外延硅层；在上述外延硅层里，N+掺杂区域上方，利用一已构图的第二光致抗蚀剂植入掩模形成一P型井阵列；除去上述第二光致抗蚀剂植入掩模；沉积一衬垫氧化层以及一氮化硅层，并在上述氮化硅层里需要场氧化隔离区处形成开口区域；在元件区周围形成上述场氧化隔离区，并且电隔离上述元件区，上述元件区对准上述N+掺杂区；单向蚀刻上述元件区，穿透上述氮化硅层，以及外延硅层的P型井，达到N+掺杂区，以形成孔洞；各向同性选择性蚀刻上述孔洞，以除去上述N+掺杂区，并在上述硅基板里形成洞穴；利用蚀刻除去上述氮化硅层；在上述洞穴的表面，及上述孔洞的侧边沉积一电极间介电层；在上述洞穴的表面的电极间介电层上沉积一多晶硅掺杂层，并填充上述孔洞，在上述孔洞里的多晶硅掺杂层形成上述埋藏式电容的阳极电接触；利用化学机械研磨法研磨上述多晶硅掺杂层，直至上述基板，完成上述埋藏式电容的阵列组装；进一步执行下列步骤，以形成上述DRAM单元阵列：在上述元件区上生长一栅氧化层；沉积一第一覆层，并加以构图，在上述元件区上形成场效应晶体管的栅电极，该栅电极在上述埋藏式电容上方伸展开来，同时在上述场氧化隔离区上方形成字线；利用离子植入在邻近上述栅电极处形成微掺杂源极/漏极区；沉积一均匀的绝缘层，并加以回蚀，以便在上述栅电极上形成侧壁间隔；利用离子植入在邻近上述侧壁间隔处形成源极/漏极接触区，作为上述DRAM单元阵列的FET存取晶体管，上述晶体管的其中一个源极/漏极区在上述埋藏式电容的其中一个阳极电接触的上方伸展开来；沉积一导电层，并加以构图，以便在上述电极间介电层上方形成端点连线，作为上述源极/漏极区与阳极电接触间的电连接；沉积一多晶硅金属介电层，电隔离上述FET的栅电极及源极/漏极区；蚀刻上述多晶硅/金属介电层，达到上述FET的第二个源极/漏极接触区，形成位线的接触孔；沉积一第二覆层，并加以构图，以便在上述位线的接触孔的上方形成位线，完成上述DRAM单元阵列。