发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
摘要 | 一种电子器件(10)包括:(a)第一布线衬底(11),包含一个金属区域(111),用有延伸到金属区域(111)的凹槽(15)形成;以及(b)第二布线衬底(12),包含一个接地极,当连接到第一布线衬底(11)时,在凹槽(15)及凹槽(15)周围信号传送通道之外的区域形成该接地极;进一步包括至少一个安装在其上的第一电子部件(14)。第一和第二布线衬底(11,12)彼此直接耦合,使第一电子部件(14)放置在凹槽(15)之内。 | ||
申请公布号 | CN1453858A | 申请公布日期 | 2003.11.05 |
申请号 | CN03122047.9 | 申请日期 | 2003.04.22 |
申请人 | NEC化合物半导体器件株式会社 | 发明人 | 中泽大望;平沢宏希 |
分类号 | H01L23/00;H01L25/00 | 主分类号 | H01L23/00 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 张天舒;谢丽娜 |
主权项 | 1.一种电子器件,包括:(a)第一布线衬底,包含一个金属区域;和(b)第二布线衬底,上面至少安装有一个第一电子部件,其中所述第一和第二布线衬底彼此耦合,其特征在于:用延伸到所述金属区域的凹槽形成第一布线衬底,所述第二布线衬底包含一个接地极,当连接到所述第一布线衬底时,在所述凹槽及所述凹槽周围信号传送通道之外的区域形成所述接地极,和所述第一和所述第二布线衬底彼此直接耦合,使所述第一电子部件放置在所述凹槽之内。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |