发明名称 | 沸石膜及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明涉及在载体上的沸石结构,它包含基本烧结的整块多孔陶瓷基材,其上涂覆着基本连续的沸石晶体均匀薄层,该层覆盖了多孔陶瓷材料的至少一个表面和其上面的孔隙。沸石晶体层包含单层沸石晶体,不含任何增强生长的、增强选择性的或修补的层,且呈现出取向的结构,从而使晶体为基本上柱状的横截面。较佳的,多孔陶瓷基材载体包含,以分析的氧化物计,10-90%重量的氧化铝,并是选自堇青石、富铝红柱石、氧化铝和/或其混合物的结晶相组合。本文还公开了形成沸石膜的方法。该方法大致包括以下步骤,提供多孔陶瓷基材,用含氧化钠或氢氧化钠、氧化铝浓度低于0.01%的水溶液水热处理基材。溶液pH、处理时间以及温度这些反应条件使得基材中的氧化铝部分溶解,且溶液中基本上不发生成核作用,使沸石生长在多孔载体上是基本连续的。 | ||
申请公布号 | CN1126658C | 申请公布日期 | 2003.11.05 |
申请号 | CN99815208.0 | 申请日期 | 1999.12.29 |
申请人 | 康宁股份有限公司 | 发明人 | K·D·皮埃罗蒂;D·J·圣朱利恩 |
分类号 | B32B3/26;B01J20/28 | 主分类号 | B32B3/26 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 徐迅 |
主权项 | 1.一种在载体上的合成的沸石膜,它包含:具有多层结构的多孔整块陶瓷基材,该基材的每平方英寸前表面有至少4个通道;孔隙度在20-60%之间,平均孔径为0.1-10微米;其组成包含,以分析的氧化物计,10-95%重量的氧化铝和5-90%重量的二氧化硅,以及选自堇青石、白硅石、富铝红柱石、氧化铝、和/或其混合物的结晶相组合;基本连续的、无缺陷的沸石晶体均匀薄层,该层与多孔基材的通道相连并与其成为一体;沸石晶体层的厚度在1至50微米之间,没有由斯托克斯沉降而产生的沸石晶体;空隙小于1%体积;掺入的沸石晶体表现出基本上柱状的横截面;没有增强生长的层、增加选择性的层和修补层。 | ||
地址 | 美国纽约州 |