| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置及其制造方法，在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a)，在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3)，在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后，设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且，在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而，可以降低具有球状导电端子的BGA(ball Grid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN1453865A | 申请公布日期 | 2003.11.05 |
| 申请号 | CN03122991.3 | 申请日期 | 2003.04.23 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 野间崇;篠木裕之;高井信行;北川胜彦;德重利洋智;太田垣贵康;安藤达也;沖川满 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L23/48;H01L23/12;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/60;H01L21/50 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征是包括在半导体芯片的表面上形成的绝缘膜、在所述绝缘膜上形成的第1布线、粘接在所述半导体芯片的表面上的支承基板、覆盖所述半导体芯片的侧面以及背面的第2绝缘膜、与所述第1布线连接并介入所述第2绝缘膜后在所述半导体芯片的背面上延伸的第2布线、以及在所述第2布线上形成的导电端子。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||