| 发明名称 |
METHOD OF TREATING SUBSTRATE AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2003235305(A1) |
申请公布日期 |
2003.11.03 |
| 申请号 |
AU20030235305 |
申请日期 |
2003.04.21 |
| 申请人 |
TOKYO ELECTRON LIMITED |
发明人 |
SHINTARO AOYAMA;MASANOBU IGETA;HIROSHI SHINRIKI |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/306;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/336;H01L29/51;(IPC1-7):H01L21/304;H01L21/318 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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