| 主权项 |
1.一种处理非挥发性记忆体中已清除记忆体格之方法,该非挥发性记忆体具有复数个记忆体格,形成虚拟接地阵列,其中包括一或多列的该格,每一该记忆体格包括第一源极/汲极区,及第二源极/汲极区,其中该源极/汲极区连接至垂直于该些列的位元线,该方法包括:由被清除成至少两资料状态之一以外之状态的记忆体格的数量,检测记忆体格的存在;及接着检测被清除成至少两资料状态之一以外之状态的记忆体格的存在,同时在记忆体格的一对上执行软程控操作,该记忆体格包括被清除成至少两资料状态之一以外之状态的记忆体格,而且该记忆体格与被清除成至少两资料状态之一以外之状态的记忆体格共用一位元线,连接至该二记忆体格对个别的第二源极/汲极区。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该对仅当该对的两格皆被清除成至少两资料状态之一以外的状态时,才实施软程控。3.如申请专利范围第2项之方法,进一步包括:在该软程控操作之后,检测该记忆体对是否仍被清除成至少两资料状态之一以外的状态。4.如申请专利范围第3项之方法,进一步包括:因应该检测,在该记忆体对仍被清除成至少两资料状态之一以外的状态时,交替地重复该软程控操作及该检测。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该软程控操作包括施予该第一控制闸软程控电压,该电压低于标准程控电压。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该软程控的执行,是使用四伏至七伏范围的电压,施予该记忆体格对的第一源极/汲极区。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该记忆体格为源极端注入电子式可清除程式化唯读记忆体(EEPROM)格,而且其中该第二源极/汲极区是源极。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该软程控操作是藉由源极端注入。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该记忆体格为电子式可清除程式化唯读记忆体(EEPROM)格,而每一记忆体格进一步包括一通道区,其具有第一及第二部分,位于且各自邻近于该第一及第二源极/汲极区;一位于该通道区之第一部份上方的第一浮动闸;一第一控制闸,其有一部分位于该第一浮动闸上方;一位于该通道区之第二部份上方的第二浮动闸;及一第二控制闸,其有一部分位于该第二浮动闸上方;其中每一该记忆体格进一步包括一第三通道区,其位于第一及第二通道区之间,以及一选择闸,其有一部分位于该通道区的第三部分上方。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该同步软程控操作,是在该记忆体格的每一对的第一浮动闸上执行。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该同步软程控操作,包括施予一电压至该记忆体格的每一对的第二控制闸,其足以使电流自由地流经通道区的第二部分,使得该软程控仅在该记忆体格的每一对的第一浮动闸上执行。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该同步软程控操作,包括施予一电压至该第一控制闸,软程控电压低于标准程控电压。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该软程控的执行,是使用四伏至七伏范围的电压,施予该记忆体格对的第一源极/汲极区。14.如申请专利范围第11项之方法,其中该软程控的执行,是使用四伏至七伏范围的电压,施予第一源极/汲极区,而至第二控制闸的电压,足以使电流自由地流经通道区的第二部分,该电压的范围为八伏至十二伏。15.如申请专利范围第9项之方法,其中该同步软程控操作,是施予一电压至该记忆体格的每一对的选择闸,该电压的范围为1.5伏至3伏。16.一种处理非挥发性记忆体中复数个记忆体格之方法,每一该记忆体格包括一源极区及一汲极区,其中该格成对的设计,具有连接共用位元线的源极,并形成包括一或多列该格的阵列,其中该位元线垂直于该列运算,该方法包括:由该复数个记忆体格,检测一或多个过度清除记忆体格的存在;及在检测一或多个过度清除记忆体格的存在之后,同步在一或多个过度清除记忆体格中的至少一个上执行软程控操作,而各个记忆体格则与至少一个过度清除记忆体格中的每一个形成一对。17.如申请专利范围第16项之方法,进一步包括:在检测前清除该复数个记忆体格。18.如申请专利范围第17项之方法,其中软程控操作仅在一对中的两格皆为过度清除时,才在该对格上执行。19.如申请专利范围第18项之方法,进一步包括:在该软程控操作之后,检测已实施软程控之记忆体格是否仍为过度清除。20.如申请专利范围第19项之方法,进一步包括:重复该软程控及检测,当已实施软程控的第一格不再是过度清除时便停止。21.如申请专利范围第19项之方法,进一步包括:重复该软程控及检测,对每一过度清除格对而言,当该些对的第一格不再是过度清除时便停止。22.一种处理非挥发性记忆体之方法,其具有复数个记忆体格,形成虚拟接地阵列,包括复数行及一或多列,其中该行设计成复数个独立且可写入的群组,该方法包括:由列中一或多个可写入群组中的每一个,检测过度清除格的第一邻近对;及同步在已检测之过度清除格的第一邻近对上执行软程控操作。23.如申请专利范围第22项之方法,进一步包括:在检测前清除该列。24.如申请专利范围第22项之方法,进一步包括:在该软程控操作之后,检测已实施软程控之记忆体格是否仍为过度清除;及重复该软程控及之后的检测,直至至少一个已实施软程控的格不再是过度清除为止。25.如申请专利范围第24项之方法,进一步包括:在该重复之后,由列中一或多个可写入群组中的每一个,检测过度清除格的第二邻近对;及同步在已检测之过度清除格的第二邻近对上执行软程控操作。26.如申请专利范围第22项之方法,进一步包括:在该软程控操作之后,检测已实施软程控之每一个第一邻近对是否仍为过度清除;及在两格仍为过度清除的第一邻近对中,重复该软程控及之后的检测,直至该对中的第一格不再是过度清除为止。27.如申请专利范围第26项之方法,进一步包括:在该重复之后,由列中一或多个可写入群组中的每一个,检测过度清除格的第二邻近对;及同步在已检测之过度清除格的第二邻近对上执行软程控操作。28.一种非挥发性记忆体格之程控方法,包括:清除复数个记忆体格;选择复数个记忆体格进行程控;同步程控所选择的记忆体格;及当至少一个且少于所选择的记忆体格确认已程控至所需状态时,停止全部所选择记忆体格的程控。29.如申请专利范围第28项之方法,其中所选择的记忆体格为成对的格,每一该成对的格共用共同的位元线。30.如申请专利范围第29项之方法,其中当该对的第一个格确认已程控至所需状态时,每一对独立地停止程控。图式简单说明:图1a显示非挥发性记忆体的虚拟接地阵列架构。图1b显示图1a中格的各个部分。图2描绘虚拟接地阵列的邻近效应。图3a显示进行源极端注入偏压及结构的装置截面图。图3b为图3a中装置的系统符号。图4显示虚拟接地阵列中,藉源极限制电流的程控电流。图5描绘虚拟接地阵列的双格软程控偏压。图6为图5程序之实施例的流程图。图7a及7b分别为具多重浮动闸之记忆体格的实施例的俯视及截面图。图8a为图7a及7b中记忆体格的系统图。图8b为图7a及7b中记忆体格之实施例的电路图。图9a及9b显示多重浮动闸格之阵列中的双格程控。图10a及10b表示可用于图9a及9b中软程控的演算法。 |
