发明名称 化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法
摘要 一种化学处理设备中降低晶圆报废比例的方法,本发明可根据异常原因,例如电源正常与否、与机械手臂正常与否的情况下,分别利用机械手臂或者化学处理槽排放阀与超纯水供应阀的控制,来达到降低晶圆与化学处理液的反应速率。本发明可应用于控制系统中,例如写入程式中,当异常状况发生时,即可避免晶圆损害以达到降低晶圆报废比例的目的。利用本发明化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,具有节省晶圆制造成本并提高晶圆生产良率的优点。
申请公布号 TW559877 申请公布日期 2003.11.01
申请号 TW091124274 申请日期 2002.10.21
申请人 矽统科技股份有限公司 发明人 董萱盛;简欣达;李瑞评
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,至少包括:提供一化学处理槽,其中该化学处理槽具有连接一快速排放阀之一内槽,以及连接一排放阀之一外槽,且该化学处理槽具有一化学处理液;进行一化学处理制程,将一晶圆置入该化学处理液中;当发生一异常警报时,同时打开该内槽之该快速排放阀以及该外槽之该排放阀,藉以使得该化学处理液可排出该化学处理槽外;判断该化学处理槽中剩余之该化学处理液之一液面是否低于一标准液面;以及若该化学处理槽中剩余之该化学处理液之该液面低于该标准液面,则关闭该内槽之该快速排放阀,并打开一超纯水之一供应阀,使该超纯水可注入该内槽中。2.如申请专利范围第1项所述之化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,其中上述之化学处理液可选自于由硫酸(H2SO4)与过氧化氢(H2O2)之混合溶液(SPM)、稀释氟氢酸水溶液(DHF)、氢氟酸与氟化铵(NH4F)混合之缓冲氢氟酸溶液(BOE)、氢氧化铵(NH4OH)与过氧化氢之混合水溶液(APM)、以及氯化氢(HCl)与过氧化氢之混合水溶液(HPM)所组成之一族群。3.如申请专利范围第1项所述之化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,其中上述之化学处理槽之体积为30公升。4.如申请专利范围第3项所述之化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,其中上述之快速排放阀之管径大于一寸。5.如申请专利范围第3项所述之化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,其中上述之超纯水之供应速率系大于每分钟30公升。6.如申请专利范围第1项所述之化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,其中上述之化学处理制程可选自于由晶圆洗净与湿蚀刻制程所组成之一族群。7.如申请专利范围第1项所述之化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,其中上述之化学处理槽中剩余之该化学处理液之该液面是否低于该标准液面之判断步骤系可利用位于该内槽之一低液位感应器来判断。8.如申请专利范围第1项所述之化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,其中上述之该化学处理槽中剩余之该化学处理液之该液面是否低于该标准液面之判断步骤系可由设定该化学处理液之一排放时间来判断。9.一种化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,至少包括:提供一化学处理槽,其中该化学处理槽具有一内槽,以及连接一排放阀之一外槽,且该化学处理槽具有一化学处理液;进行一化学处理制程,将一晶圆置入该化学处理液中;以及当发生一异常警报时,打开该外槽之该排放阀,藉以使得该化学处理液可排出该化学处理槽外,并同时打开一超纯水之一供应阀,藉以使该超纯水可注入该化学处理槽之该内槽中。10.如申请专利范围第9项所述之化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,其中上述之化学处理液可选自于由硫酸与过氧化氢之混合溶液、稀释氟氢酸水溶液、氢氟酸与氟化铵混合之缓冲氢氟酸溶液、氢氧化铵与过氧化氢之混合水溶液、以及氯化氢与过氧化氢之混合水溶液所组成之一族群。11.如申请专利范围第9项所述之化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,其中上述之化学处理槽之体积为30公升,则该超纯水之供应速率系大于每分钟30公升。12.如申请专利范围第9项所述之化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,其中上述之化学处理制程可选自于由晶圆洗净与湿蚀刻制程所组成之一族群。13.一种化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,至少包括:提供一化学处理槽,其中该化学处理槽具有一外槽,以及一内槽,且该化学处理槽具有一化学处理液;进行一化学处理制程,将一晶圆置入该化学处理液中;以及当发生一异常警报时,利用一机械手臂将该晶圆由该化学处理槽中取出,并将该晶圆置入具有一洗净液之一洗净槽中,其中该异常警报系在该化学处理设备之一电源可正常供给、该机械手臂可正常运作下,但该化学处理设备之至少一制程参数不符合一制程规范所产生。14.如申请专利范围第13项所述之化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,其中上述之化学处理液可选自于由硫酸与过氧化氢之混合溶液、稀释氟氢酸水溶液、氢氟酸与氟化铵混合之缓冲氢氟酸溶液、氢氧化铵与过氧化氢之混合水溶液、以及氯化氢与过氧化氢之混合水溶液所组成之一族群。15.如申请专利范围第13项所述之化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,其中上述之化学处理制程可选自于由晶圆洗净与湿蚀刻制程所组成之一族群。16.如申请专利范围第13项所述之化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法,其中上述之洗净液为一超纯水。图式简单说明:第1图所绘示为一般化学处理设备示意图;第2图所绘示为依据本发明之一实施例之化学处理设备中降低晶圆报废比例之操作流程图;第3a图至第3b图所绘示为根据第2图化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法的设备操作示意图;第3c图至第3e图所绘示为第3b图洗净槽之一实施例的制程示意图;第4图所绘示为依据本发明另一实施例之化学处理设备中降低晶圆报废比例之操作流程图;第5a图至第5b图所绘示为根据第4图化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法的设备操作示意图;第6图所绘示为依据本发明再一实施例之化学处理设备中降低晶圆报废比例之操作流程图;以及第7图所绘示为根据第6图化学处理设备中降低晶圆报废比例之方法的设备操作示意图。
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