| 主权项 |
1.一种第Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件之制造方法,系包含有:在由第Ⅲ族氮化物系化合物半导体所构成的p型层上,层积第1金属而形成第1电极层,然后在上述第1电极层上,层积具有电离电势高于上述第1金属的第2金属,而形成第2电极层的电极形成步骤;在实质含有氧的气体环境中,依第1温度施行热处理的第1热处理步骤;以及在实质未含有氧的气体环境中,依高于上述第1温度的第2温度施行热处理的第2热处理步骤。2.如申请专利范围第1项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件之制造方法,其中在上述第1热处理步骤之后,再施行上述第2热处理步骤。3.如申请专利范围第1项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件之制造方法,其中在上述第2热处理步骤之后,再施行上述第1热处理步骤。4.如申请专利范围第1项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件之制造方法,其中上述第1温度系低于440℃。5.如申请专利范围第1项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件之制造方法,其中上述第2热处理步骤系在非氧化性气体环境或还原性气体环境中进行。6.如申请专利范围第1项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件之制造方法,其中上述第2温度系440℃以上。7.如申请专利范围第1项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件之制造方法,其中上述电极形成步骤系更包含有形成p基座电极的步骤。8.如申请专利范围第1项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件之制造方法,其中上述第1金属系钴,上述第2金属系金。9.一种热处理方法,系透光性电极形成层的热处理方法,而该透光性电极形成层系具备有:由第Ⅲ族氮化物系化合物半导体所构成的p型层;以及含有:形成于该p型层上,且含有第1金属之第1金属层,以及形成于该第1金属层上,且具有电离电势高于上述第1金属,并含有第2金属之第2金属层;其中,包含有:在实质含有氧的气体环境中,依第1温度施行热处理的第1热处理步骤;以及在实质未含有氧的气体环境中,依高于上述第1温度的第2温度施行热处理的第2热处理步骤。10.如申请专利范围第9项之热处理方法,其中在上述第1热处理步骤之后,再施行上述第2热处理步骤。11.如申请专利范围第9项之热处理方法,其中在上述第2热处理步骤之后,再施行上述第1热处理步骤。12.如申请专利范围第9项之热处理方法,其中上述第1温度系低于440℃。13.如申请专利范围第9项之热处理方法,其中上述第2热处理步骤系在非氧化性气体环境或还原性气体环境中进行。14.如申请专利范围第9项之热处理方法,其中上述电极形成步骤系更包含有形成p基座电极的步骤。15.如申请专利范围第9项之热处理方法,其中上述第1金属系钴(Co),上述第2金属系金(Au)。16.一种第Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件,系在由第Ⅲ族氮化物系化合物半导体所构成的p型层上,层积含有第1金属之第1电极层,然后在上述第1电极层上,层积具有电离电势高于上述第1金属之第2金属的第2电极层,而形成透光性电极形成层,将透光性电极形成层藉由下述二种热处理步骤施行热处理而所获得的第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件;其中,该二步骤系:在实质含有氧的气体环境中,依第1温度施行热处理的第1热处理步骤;以及在实质未含有氧的气体环境中,依高于上述第1温度的第2温度施行热处理的第2热处理步骤。17.如申请专利范围第16项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件,其中在上述第1热处理步骤之后,再施行上述第2热处理步骤。18.如申请专利范围第16项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件,其中在上述第2热处理步骤之后,再施行上述第1热处理步骤。19.如申请专利范围第16项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件,其中上述第1温度系低于440℃。20.如申请专利范围第16项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件,其中上述第2热处理步骤系在非氧化性气体环境或还原性气体环境中进行。21.如申请专利范围第16项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件,其中上述电极形成步骤系更包含有形成p基座电极的步骤。22.如申请专利范围第16项之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件,其中上述第1金属系钴(Co),上述第2金属系金(Au)。图式简单说明:图1为本发明实施例之发光元件的层构造说明图。图2为实施例之发光元件的电极之层构造说明图。 |
