| 主权项 |
1.一种磊晶架构,用于氮化镓雷射二极体,位于发光活性层的上方,该架构包括:一组栅状排列之条状遮罩;以及在条状遮罩上方生长成形之岛状磊晶组织。2.如申请专利范围第1项之磊晶架构,其中条状遮罩与条状遮罩两两相互平行,其截面为长方型,其厚度约为100~2000A,宽度约为50~500m,条状遮罩之间的间隙宽度约为1~10m。3.如申请专利范围第1项之磊晶架构,其中岛状磊晶组织与岛状磊晶组织之间需相互独立不能结合。4.一种氮化镓雷射二极体,包括:一基板;一氮化镓雷射二极体多层结构,包括:一组栅状排列之底层条状遮罩及一n型氮化镓化合物半导体局限层及一发光活性层及一组栅状排列之上层条状遮罩及一p型氮化镓化合物半导体局限层。5.如申请专利范围第4项之氮化镓雷射二极体,其中底层条状遮罩系位于基板与n型氮化镓化合物半导体局限层之间。6.如申请专利范围第4项之氮化镓雷射二极体,其中底层条状遮罩之方向可为任何方向,条状遮罩与条状遮罩两两相互平行,其截面为长方型,其厚度约为100~2000A,宽度约为2~20m,条状遮罩间的间隙之宽度约为2~500m。7.如申请专利范围第4项之氮化镓雷射二极体,其中上层条状遮罩系位于发光活性层与p型氮化镓化合物半导体局限层之间。8.如申请专利范围第4项之氮化镓雷射二极体,其中上层条状遮罩之条状遮罩与条状遮罩两两相互平行,其截面为长方型,其厚度约为100 ~ 2000A,宽度约为50~500m,条状遮罩之间的间隙宽度约为1~10m。9.如申请专利范围第4项之氮化镓雷射二极体,其中上层条状遮罩需和底层条状遮罩的方向平行一致。图式简单说明:第一图系一习知技艺传统之氮化镓雷射二极体结构示意图。第二图系一光学照片,显示使用传统技艺之氮化镓雷射二极体磊晶结构在表面上仍容易产生裂伤。第三图系一结构示意图,说明本发明实例一之氮化镓雷射二极体磊晶结构。第四图系本发明实例一之磊晶片上形成上层条状遮罩313后之俯视示意图。第五图系一结构示意图,说明本发明实例二之氮化镓雷射二极体磊晶结构。第六图系一结构示意图,说明本发明实例三之氮化镓雷射二极体结构。第七图系一结构示意图,说明本发明实例四之氮化镓雷射二极体结构。第图八系一结构示意图,说明本发明之底层条状遮罩、上层条状遮罩、发光活性层及岛状组织之较佳相对位置。 |
