| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包含有:一绝缘下层(101.102);一第一绝缘间层(103.203),其系设置于该绝缘下层上,又该第一绝缘间层具有一凹槽;一第一含矽金属层(111.221),其未包含有金属矽化物,且其系埋入于该凹槽中;以及,一第一金属扩散阻挡层(109.208),其系设置在该第一含矽金属层与该第一绝缘间层上。2.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中,该第一绝缘间层包含有至少一SiO2层、一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一低k材料层其中之一者。3.如申请专利范围第2项的半导体装置,其中,该低k材料层包含有一梯型氢矽氧烷层与一多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者。4.如申请专利范围第3项的半导体装置,其中,该梯型氢矽氧烷层包含有一L-OXTM层。5.如申请专利范围第3项的半导体装置,其中,该梯型氢矽氧烷层具有约为1.50g/cm3至1.58g/cm3的一密度。6.如申请专利范围第3项的半导体装置,其中,该梯型氢矽氧烷层于波长约为633nm处具有约为1.38至1.40的一折射率。7.如申请专利范围第3项的半导体装置,其更包含有由二氧化矽所制成的一遮罩绝缘层,其系设置在该梯型氢矽氧烷层与该多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者上。8.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中,该第一含矽金属层于接近其一上侧处较于接近其一下侧处者具有一较大矽浓度。9.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中,该第一含矽金属层包含有一含矽铜层。10.如申请专利范围第9项的半导体装置,其中,该含矽铜层之一矽组成是小于原子百分比8%。11.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中,该第一含矽金属层包含有一含矽铜合金层,而该含矽铜合金层包含有至少铝、银、钨、镁、铁、镍、锌、钯、镉、金、汞、铍、铂、锆、钛与锡其中之一者。12.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中,该第一金属扩散阻挡层包含有至少一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一有机材料层其中之一者。13.如申请专利范围第1项的半导体装置,其更包含有位于该绝缘下层与该第一绝缘间层之间的一第一蚀刻停止层(102.202)。14.如申请专利范围第13项的半导体装置,其中,该第一蚀刻停止层包含有至少一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一有机材料层其中之一者。15.如申请专利范围第1项的半导体装置,其更包含有:一第二绝缘间层(110),其系设置在该第一金属扩散阻挡层上,又该第二绝缘间层与该第一金属扩散阻挡层具有与该第一绝缘间层之该凹槽相对的一通孔;一第二含矽金属层(134),其未包含有金属矽化物,且其系埋入于该通孔中;一第二金属扩散阻挡层(136),其系设置在该第二含矽金属层与该第二绝缘间层上;第三绝缘间层(137.138),其系设置在该第二金属扩散阻挡层上,又该第三绝缘间层与该第二金属扩散阻挡层具有与该通孔相对的一沟渠;一第三含矽金属层(143),其未包含有金属矽化物,且其系埋入于该沟渠中;以及,一第三金属扩散阻挡层(144),其系设置在该第三含矽金属层与该第三绝缘间层上。16.如申请专利范围第15项的半导体装置,其中,该第二与第三绝缘间层各自包含有至少一SiO2层、一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一低k材料层其中之一者。17.如申请专利范围第16项的半导体装置,其中,该低k材料层包含有一梯型氢矽氧烷层与一多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者。18.如申请专利范围第17项的半导体装置,其中,该梯型氢矽氧烷层包含有一L-OXTM层。19.如申请专利范围第17项的半导体装置,其中,该梯型氢矽氧烷层具有约为1.50g/cm3至1.58g/cm3的一密度。20.如申请专利范围第17项的半导体装置,其中,该梯型氢矽氧烷层于波长约为633nm处具有约为1.38至1.40的一折射率。21.如申请专利范围第17项的半导体装置,其更包含有由二氧化矽所制成的一遮罩绝缘层,其系设置在该梯型氢矽氧烷层与该多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者上。22.如申请专利范围第15项的半导体装置,其中,该第二与第三含矽金属层于接近其一上侧处较于接近其一下侧处者各自具有一较大矽浓度。23.如申请专利范围第15项的半导体装置,其中,该第二与第三含矽金属层各自包含有一含矽铜层。24.如申请专利范围第23项的半导体装置,其中,该含矽铜层之一矽组成是小于原子百分比8%。25.如申请专利范围第15项的半导体装置,其中,该第二与第三含矽金属层各自包含有一含矽铜合金层,而该含矽铜合金层包含有至少铝、银、钨、镁、铁、镍、锌、钯、镉、金、汞、铍、铂、锆、钛与锡其中之一者。26.如申请专利范围第15项的半导体装置,其中,该第二与第三金属扩散阻挡层各自包含有至少一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一有机材料层其中之一者。27.如申请专利范围第1项的半导体装置,其更包含有:一第二绝缘间层(209),其系设置在该第一金属扩散阻挡层上,又该第二绝缘间层与该第一金属扩散阻挡层具有与该第一绝缘间层之该凹槽相对的一通孔;一第三绝缘间层(211a、211b),其系设置在该第二绝缘间层上,又该第三绝缘间层与该通孔相对的一沟渠;一第二含矽金属层(222),其未包含有金属矽化物,且其系埋入于该沟渠与该通孔中;以及,一第二金属扩散阻挡层(218),其系设置在该第二含矽金属层与该第三绝缘间层上。28.如申请专利范围第27项的半导体装置,其中,该第二绝缘间层包含有至少一SiO2层、一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一低k材料层其中之一者。29.如申请专利范围第28项的半导体装置,其中,该低k材料层包含有一梯型氢矽氧烷层与一多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者。30.如申请专利范围第29项的半导体装置,其中,该梯型氢矽氧烷层包含有一L-OXTM层。31.如申请专利范围第29项的半导体装置,其中,该梯型氢矽氧烷层具有约为1.50g/cm3至1.58g/cm3的一密度。32.如申请专利范围第29项的半导体装置,其中,该梯型氢矽氧烷层于波长约为633nm处具有约为1.38至1.40的一折射率。33.如申请专利范围第29项的半导体装置,其更包含有由二氧化矽所制成的一遮罩绝缘层,其系设置在该梯型氢矽氧烷层与该多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者上。34.如申请专利范围第27项的半导体装置,其中,该第二含矽金属层于接近其一上侧处较于接近其一下侧处者具有一较大矽浓度。35.如申请专利范围第27项的半导体装置,其中,该第二含矽金属层包含有一含矽铜层。36.如申请专利范围第35项的半导体装置,其中,该含矽铜层之一矽组成是小于原子百分比8%。37.如申请专利范围第27项的半导体装置,其中,该第二含矽金属层包含有一含矽铜合金层,而该含矽铜合金层包含有至少铝、银、钨、镁、铁、镍、锌、钯、镉、金、汞、铍、铂、锆、钛与锡其中之一者。38.如申请专利范围第27项的半导体装置,其中,该第二金属扩散阻挡层包含有至少一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一有机材料层其中之一者。39.如申请专利范围第27项的半导体装置,其更包含有位于该第二与第三绝缘间层之间的一第二蚀刻停止层(136.210),又该第二蚀刻停止层具有与该沟渠相对的一沟渠。40.如申请专利范围第39项的半导体装置,其中,该第二蚀刻停止层包含有至少一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一有机材料层其中之一者。41.一种半导体装置,其包含有:一绝缘下层(101);一第一绝缘间层(103),其系设置于该绝缘下层上,又该第一绝缘间层具有一凹槽;一第一含矽金属层(111),其未包含有金属矽化物,且其系埋入于该凹槽中;一第一金属扩散阻挡层(109),其系设置在该第一含矽金属层与该第一绝缘间层上;一第二绝缘间层(110),其系设置在该第一金属扩散阻挡层上,又该第二绝缘间层与该第一金属扩散阻挡层具有与该第一绝缘间层之该凹槽相对的一通孔;一金属层(134),其系埋入于该通孔中;一第二金属扩散阻挡层(136),其系设置在该金属层与该第二绝缘间层上;一第三绝缘间层(137.138),其系设置在该第二金属扩散阻挡层上,又该第三绝缘间层与该第二金属扩散阻挡层具有与该通孔相对的一沟渠;一第二含矽金属层(143),其未包含有金属矽化物,且其系埋入于该沟渠中;以及,一第三金属扩散阻挡层(144),其系设置在该第二含矽金属层与该第三绝缘间层上。42.一种半导体装置,其包含有:一绝缘下层(101);一绝缘间层(103),其系设置于该绝缘下层上,又该绝缘间层具有一凹槽;一阻挡金属层(106),由钽、氮化钽、钛、氮化钛、TaSiN与TiSiN至少其中之一者所制成的该阻挡金属层系设置在该凹槽内;一含矽铜层(111),其未包含有金属矽化物且其系埋入于该阻挡金属层上的该凹槽中,又该含矽铜层具有小于原子百分比8%的一矽组成;以及,一铜扩散阻挡层(109),其系由SiCN、SiC、SiOC与有机材料至少其中之一者所制成,且其系设置在该含矽铜层与该绝缘间层上。43.一种半导体装置,其包含有:一绝缘下层(101);一第一绝缘间层(103),其系设置于该绝缘下层上,又该第一绝缘间层具有一凹槽;一第一阻挡金属层(106),由钽、氮化钽、钛、氮化钛、TaSiN与TiSiN至少其中之一者所制成的该第一阻挡金属层系设置在该凹槽内;一第一含矽铜层(111),其未包含有金属矽化物且其系埋入于该第一阻挡金属层上的该凹槽中,又该第一含矽铜层具有小于原子百分比8%的一矽组成;一第一铜扩散阻挡层(109),其系由SiCN、SiC、SiOC与有机材料至少其中之一者所制成,且其系设置在该第一含矽铜层与该第一绝缘间层上;一第二绝缘间层(110),其系设置在该第一铜扩散阻挡层上,又该第二绝缘间层具有与该凹槽相对的一通孔;一第二阻挡金属层(133),由钽、氮化钽、钛、氮化钛、TaSiN与TiSiN至少其中之一者所制成的该第二阻挡金属层系设置在该通孔内;一第二含矽铜层(135),其未包含有金属矽化物且其系埋入于该第二阻挡金属层上的该通孔中,又该第二含矽铜层具有小于原子百分比8%的一矽组成;一第二铜扩散阻挡层(136),其系由SiCN、SiC、SiOC与有机材料至少其中之一者所制成,且其系设置在该第二含矽铜层与该第二绝缘间层上;一第三绝缘间层(137.138),其系设置在该第二绝缘下层上,又该第三绝缘间层具有与该通孔相对的一沟渠;一第三阻挡金属层(141),由钽、氮化钽、钛、氮化钛、TaSiN与TiSiN至少其中之一者所制成的该第三阻挡金属层系设置在该沟渠内;一第三含矽铜层(143),其未包含有金属矽化物且其系埋入于该第三阻挡金属层上的该沟渠中,又该第三含矽铜层具有小于原子百分比8%的一矽组成;以及,一第三铜扩散阻挡层(144),其系由SiCN、SiC、SiOC与有机材料至少其中之一者所制成,且其系设置在该第三含矽铜层与该第三绝缘间层上。44.一种半导体装置,其包含有:一绝缘下层(201);一第一绝缘间层(203),其系设置于该绝缘下层上,又该第一绝缘间层具有一凹槽;一第一阻挡金属层(206),由钽、氮化钽、钛、氮化钛、TaSiN与TiSiN至少其中之一者所制成的该第一阻挡金属层系设置在该凹槽内;一第一含矽铜层(221),其未包含有金属矽化物且其系埋入于该第一阻挡金属层上的该凹槽中,又该第一含矽铜层具有小于原子百分比8%的一矽组成;一第一铜扩散阻挡层(208),其系由SiCN、SiC、SiOC与有机材料至少其中之一者所制成,且其系设置在该第一含矽铜层与该第一绝缘间层上;一第二绝缘间层(209),其系设置在该第一铜扩散阻挡层上,又该第二绝缘间层具有与该凹槽相对的一通孔;一第三绝缘间层(211a、211b),其系设置在该第二绝缘下层上,又该第三绝缘间层具有与该通孔相对的一沟渠;一第二阻挡金属层(216),由钽、氮化钽、钛、氮化钛、TaSiN与TiSiN至少其中之一者所制成的该第二阻挡金属层系设置在该沟渠与该通孔内;一第二含矽铜层(222),其未包含有金属矽化物且其系埋入于该第二阻挡金属层上的该沟渠与该通孔中,又该第二含矽铜层具有小于原子百分比8%的一矽组成;以及,一第二铜扩散阻挡层(218),其系由SiCN、SiC、SiOC与有机材料至少其中之一者所制成,且其系设置在该第二含矽铜层与该第三绝缘间层上。45.一种半导体装置的制造方法,其包含步骤有:在一第一绝缘间层(103.203)中设置一第一凹槽;在该凹槽中埋入未含有金属矽化物的一第一含矽金属层(111.221);以及,在该第一含矽金属层与该第一绝缘间层上设置一第一金属扩散阻挡层(109.208)。46.如申请专利范围第45项之半导体装置的制造方法,其中,该第一绝缘间层包含有至少一SiO2层、一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一低k材料层其中之一者。47.如申请专利范围第46项之半导体装置的制造方法,其中,该低k材料层包含有一梯型氢矽氧烷层与一多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者。48.如申请专利范围第47项之半导体装置的制造方法,其中,该梯型氢矽氧烷层包含有一L-OXTM层。49.如申请专利范围第47项之半导体装置的制造方法,其中,该梯型氢矽氧烷层具有约为1.50g/cm3至1.58g/cm3的一密度。50.如申请专利范围第47项之半导体装置的制造方法,其中,该梯型氢矽氧烷层于波长约为633nm处具有约为1.38至1.40的一折射率。51.如申请专利范围第47项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有在该梯型氢矽氧烷层与该多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者上设置由二氧化矽所制成的一遮罩绝缘层。52.如申请专利范围第45项之半导体装置的制造方法,其中,该第一含矽金属层于接近其一上侧处较于接近其一下侧处者具有一较大矽浓度。53.如申请专利范围第45项之半导体装置的制造方法,其中,该第一含矽金属层包含有一含矽铜层。54.如申请专利范围第53项之半导体装置的制造方法,其中,该含矽铜层之一矽组成是小于原子百分比8%。55.如申请专利范围第45项之半导体装置的制造方法,其中,该第一含矽金属层包含有一含矽铜合金层,而该含矽铜合金层包含有至少铝、银、钨、镁、铁、镍、锌、钯、镉、金、汞、铍、铂、锆、钛与锡其中之一者。56.如申请专利范围第45项之半导体装置的制造方法,其中,该第一金属扩散阻挡层包含有至少一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一有机材料层其中之一者。57.如申请专利范围第45项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有于该绝缘下层与该第一绝缘间层之间设置一第一蚀刻停止层(102.202)。58.如申请专利范围第57项之半导体装置的制造方法,其中,该第一蚀刻停止层包含有至少一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一有机材料层其中之一者。59.如申请专利范围第45项之半导体装置的制造方法,其中,该第一含矽金属层埋入步骤包含有:在该凹槽中埋入一第一金属层(107.207);还原该第一金属层上的一第一氧化物;以及,将该第一金属层曝露于含矽气体,以便使该第一金属层转变成该第一含矽金属层。60.如申请专利范围第59项之半导体装置的制造方法,其中,该第一氧化物之还原步骤系在包含有氨气、氮气、氢气、氦气与氩气至少其中之一者的一电浆气体中执行。61.如申请专利范围第59项之半导体装置的制造方法,其中,该第一氧化物之还原步骤、该第一含矽气体之曝露步骤与该第一金属扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。62.如申请专利范围第45项之半导体装置的制造方法,其中,该第一含矽金属层埋入步骤包含有:在该凹槽中埋入一第一金属层(107.207);在该第一金属层上涂布一第一氧化防止层;移除该第一氧化防止层;以及,将该第一金属层曝露于含矽气体,以便于在移除该第一氧化防止层后让该第一金属层转变成该第一含矽金属层。63.如申请专利范围第62项之半导体装置的制造方法,其中,该含矽气体包含有无机矽烷气体。64.如申请专利范围第63项之半导体装置的制造方法,其中,该无机矽烷气体包含有SiH4气体、Si2H6气体与SiH2Cl2至少其中之一者。65.如申请专利范围第62项之半导体装置的制造方法,其中,该第一氧化防止层包含有一苯骈唑层。66.如申请专利范围第62项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有在涂布该第一氧化防止层前、还原该第一金属层上的一第一氧化物。67.如申请专利范围第66项之半导体装置的制造方法,其中,该第一氧化物之还原步骤使用草酸。68.如申请专利范围第66项之半导体装置的制造方法,其中,该第一氧化防止层之移除步骤系在一温度约200至450℃下执行。69.如申请专利范围第68项之半导体装置的制造方法,其中,该第一氧化防止层之移除步骤系在包含有氨气、氮气、氢气、氦气与氩气至少其中之一者的一电浆气体中执行。70.如申请专利范围第62项之半导体装置的制造方法,其中,该第一氧化防止层之移除步骤、该第一含矽气体之曝露步骤与该第一金属扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。71.如申请专利范围第45项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有:在该第一金属扩散阻挡层上设置一第二绝缘间层(110),该第二绝缘间层与该第一金属扩散阻挡层具有与该第一绝缘间层之该凹槽相对的一通孔;在该通孔中埋入未含有金属矽化物的一第二含矽金属层(134);在该第二含矽金属层与该第二绝缘间层上设置一第二金属扩散阻挡层(136);在该第二金属扩散阻挡层上设置一第三绝缘间层(137.138),该第三绝缘间层与该第二金属扩散阻挡层具有与该通孔相对的一沟渠;在该沟渠中埋入未含有金属矽化物的一第三含矽金属层(143);以及,在该第三含矽金属层与该第三绝缘间层上设置一第三金属扩散阻挡层(144)。72.如申请专利范围第71项之半导体装置的制造方法,其中,该第二与第三绝缘间层各自包含有至少一SiO2层、一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一低k材料层其中之一者。73.如申请专利范围第72项之半导体装置的制造方法,其中,该低k材料层包含有一梯型氢矽氧烷层与一多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者。74.如申请专利范围第73项之半导体装置的制造方法,其中,该梯型氢矽氧烷层包含有一L-OXTM层。75.如申请专利范围第73项之半导体装置的制造方法,其中,该梯型氢矽氧烷层具有约为1.50g/cm3至1.58g/cm3的一密度。76.如申请专利范围第73项之半导体装置的制造方法,其中,该梯型氢矽氧烷层于波长约为633nm处具有约为1.38至1.40的一折射率。77.如申请专利范围第73项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有在该梯型氢矽氧烷层与该多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者上设置由二氧化矽所制成的一遮罩绝缘层。78.如申请专利范围第71项之半导体装置的制造方法,其中,该第二与第三含矽金属层于接近其一上侧处较于接近其一下侧处者各自具有一较大矽浓度。79.如申请专利范围第71项之半导体装置的制造方法,其中,该第二与第三含矽金属层各自包含有一含矽铜层。80.如申请专利范围第71项之半导体装置的制造方法,其中,该含矽铜层之一矽组成是小于原子百分比8%。81.如申请专利范围第71项之半导体装置的制造方法,其中,该第二与第三含矽金属层各自包含有一含矽铜合金层,而该含矽铜合金层包含有至少铝、银、钨、镁、铁、镍、锌、钯、镉、金、汞、铍、铂、锆、钛与锡其中之一者。82.如申请专利范围第71项之半导体装置的制造方法,其中,该第二与第三金属扩散阻挡层各自包含有至少一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一有机材料层其中之一者。83.如申请专利范围第71项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层埋入步骤包含有:在该通孔中埋入一第二金属层(134.207);还原在该第二金属层上的一第二氧化物;以及,将该第二金属层曝露于含矽气体,以便使该第二金属层转变成该第二含矽金属层。84.如申请专利范围第83项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化物之还原步骤系在包含有氨气、氮气、氢气、氦气与氩气至少其中之一者的一电浆气体中执行。85.如申请专利范围第83项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化物之还原步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二金属扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。86.如申请专利范围第71项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层埋入步骤包含有:在该凹槽中埋入一第二金属层(134.207);在该第二金属层上涂布一第二氧化防止层;移除该第二氧化防止层;以及,将该第二金属层曝露于含矽气体,以便于在移除该第二氧化防止层后让该第二金属层转变成该第二含矽金属层。87.如申请专利范围第86项之半导体装置的制造方法,其中,该含矽气体包含有无机矽烷气体。88.如申请专利范围第87项之半导体装置的制造方法,其中,该无机矽烷气体包含有SiH4气体、Si2H6气体与SiH2Cl2至少其中之一者。89.如申请专利范围第86项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层包含有一苯骈唑层。90.如申请专利范围第86项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有在涂布该第二氧化防止层前、还原该第二金属层上的一第二氧化物。91.如申请专利范围第90项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化物之还原步骤使用草酸。92.如申请专利范围第90项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层之移除步骤系在一温度约200至450℃下执行。93.如申请专利范围第92项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层之移除步骤系在包含有氨气、氮气、氢气、氦气与氩气至少其中之一者的一电浆气体中执行。94.如申请专利范围第86项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层之移除步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二金属扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。95.如申请专利范围第71项之半导体装置的制造方法,其中,该第三含矽金属层埋入步骤包含有:在该沟渠中埋入一第三金属层(142.207);还原在该第三金属层上的一第三氧化物;以及,将该第三金属层曝露于含矽气体,以便使该第三金属层转变成该第三含矽金属层。96.如申请专利范围第95项之半导体装置的制造方法,其中,该第三氧化物之还原步骤系在包含有氨气、氮气、氢气、氦气与氩气至少其中之一者的一电浆气体中执行。97.如申请专利范围第95项之半导体装置的制造方法,其中,该第三氧化物之还原步骤、该第三含矽气体之曝露步骤与该第三金属扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。98.如申请专利范围第71项之半导体装置的制造方法,其中,该第三含矽金属层埋入步骤包含有:在该凹槽中埋入一第三金属层(142);在该第三金属层上涂布一第三氧化防止层;移除该第三氧化防止层;以及,将该第三金属层曝露于含矽气体,以便于在移除该第三氧化防止层后让该第三金属层转变成该第三含矽金属层。99.如申请专利范围第98项之半导体装置的制造方法,其中,该含矽气体包含有无机矽烷气体。100.如申请专利范围第99项之半导体装置的制造方法,其中,该无机矽烷气体包含有SiH4气体、Si2H6气体与SiH2Cl2至少其中之一者。101.如申请专利范围第98项之半导体装置的制造方法,其中,该第三氧化防止层包含有一苯骈唑层。102.如申请专利范围第98项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有在涂布该第三氧化防止层前、还原该第三金属层上的一第三氧化物。103.如申请专利范围第102项之半导体装置的制造方法,其中,该第三氧化物之还原步骤使用草酸。104.如申请专利范围第102项之半导体装置的制造方法,其中,该第三氧化防止层之移除步骤系在一温度约200至450℃下执行。105.如申请专利范围第104项之半导体装置的制造方法,其中,该第三氧化防止层之移除步骤系在包含有氨气、氮气、氢气、氦气与氩气至少其中之一者的一电浆气体中执行。106.如申请专利范围第98项之半导体装置的制造方法,其中,该第三氧化防止层之移除步骤、该第三含矽气体之曝露步骤与该第三金属扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。107.如申请专利范围第45项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有:在该第一金属扩散阻挡层上设置第二与第三绝缘间层(209.211a、211b);在该第三与第二绝缘间层中设置一通孔,该通孔系与该第一绝缘间层之该凹槽相对;在该第三绝缘间层中设置一沟渠,该沟渠系与该通孔相对;使用该第三与第二绝缘间层作为一遮罩、往回蚀刻至该第一金属扩散阻挡层;于往回蚀刻该第一金属扩散阻挡层后、在该沟渠与通孔中埋入未含有金属矽化物的一第二含矽金属层(222);以及,在该第二含矽金属层与该第三绝缘间层上设置一第二金属扩散阻挡层(218)。108.如申请专利范围第107项之半导体装置的制造方法,其中,该第二绝缘间层包含有至少一SiO2层、一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一低k材料层其中之一者。109.如申请专利范围第108项之半导体装置的制造方法,其中,该低k材料层包含有一梯型氢矽氧烷层与一多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者。110.如申请专利范围第109项之半导体装置的制造方法,其中,该梯型氢矽氧烷层包含有一L-OXTM层。111.如申请专利范围第109项之半导体装置的制造方法,其中,该梯型氢矽氧烷层具有约为1.50g/cm3至1.58 g/cm3的一密度。112.如申请专利范围第109项之半导体装置的制造方法,其中,该梯型氢矽氧烷层于波长约为633nm处具有约为1.38至1.40的一折射率。113.如申请专利范围第109项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有在该梯型氢矽氧烷层与该多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者上设置由二氧化矽所制成的一遮罩绝缘层。114.如申请专利范围第107项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层于接近其一上侧处较于接近其一下侧处者具有一较大矽浓度。115.如申请专利范围第107项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层包含有一含矽铜层。116.如申请专利范围第115项之半导体装置的制造方法,其中,该含矽铜层之一矽组成是小于原子百分比8%。117.如申请专利范围第107项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层包含有一含矽铜合金层,而该含矽铜合金层包含有至少铝、银、钨、镁、铁、镍、锌、钯、镉、金、汞、铍、铂、锆、钛与锡其中之一者。118.如申请专利范围第107项之半导体装置的制造方法,其中,该第二金属扩散阻挡层包含有至少一SiCN层、一SiO层、一SiOC层与一有机材料层其中之一者。119.如申请专利范围第107项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有于该第二与第三绝缘间层之间设置一第二蚀刻停止层(102.202),该第二蚀刻停止层具有与该沟渠相对的一沟渠。120.如申请专利范围第119项之半导体装置的制造方法,其中,该第二蚀刻停止层包含有至少一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一有机材料层其中之一者。121.如申请专利范围第107项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层埋入步骤包含有:在该沟渠与该通孔中埋入一第二金属层(217);还原该第二金属层上的一第二氧化物;以及,将该第二金属层曝露于含矽气体,以便使该第二金属层转变成该第二含矽金属层。122.如申请专利范围第121项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化物之还原步骤系在包含有氨气、氮气、氢气、氦气与氩气至少其中之一者的一电浆气体中执行。123.如申请专利范围第121项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化物之还原步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二金属扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。124.如申请专利范围第107项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层埋入步骤包含有:在该凹槽中埋入一第二金属层(217);在该第二金属层上涂布一第二氧化防止层;移除该第二氧化防止层;以及,将该第二金属层曝露于含矽气体,以便于在移除该第二氧化防止层后让该第二金属层转变成该第二含矽金属层。125.如申请专利范围第124项之半导体装置的制造方法,其中,该含矽气体包含有无机矽烷气体。126.如申请专利范围第125项之半导体装置的制造方法,其中,该无机矽烷气体包含有SiH4气体、Si2H6气体与SiH2Cl2至少其中之一者。127.如申请专利范围第124项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层包含有一苯骈唑层。128.如申请专利范围第124项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有在涂布该第二氧化防止层前、还原该第二金属层上的一第二氧化物。129.如申请专利范围第128项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化物之还原步骤使用草酸。130.如申请专利范围第128项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层之移除步骤系在一温度约200至450℃下执行。131.如申请专利范围第130项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层之移除步骤系在包含有氨气、氮气、氢气、氦气与氩气至少其中之一者的一电浆气体中执行。132.如申请专利范围第124项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层之移除步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二金属扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。133.如申请专利范围第45项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有:在该第一金属扩散阻挡层上设置一第二绝缘间层(209);在该第二绝缘间层上设置一蚀刻停止层(210);在该蚀刻停止层中设置一通孔,该通孔系与该第一绝缘间层之该通孔相对;于设置该通孔后、在该蚀刻停止层上设置一第三绝缘间层(211a、211b);使用该蚀刻停止层作为一遮罩、在该第三绝缘间层中设置一沟渠并在该第二绝缘间层中设置一通孔,该沟渠系与该通孔相对;使用该第三与第二绝缘间层作为一遮罩、往回蚀刻该第一金属扩散阻挡层;于往回蚀刻该第一金属扩散阻挡层后、在该沟渠与通孔中埋入未含有金属矽化物的一第二含矽金属层(222);以及,在该第二含矽金属层与该第三绝缘间层上设置一第二金属扩散阻挡层(218)。134.如申请专利范围第133项之半导体装置的制造方法,其中,该第二绝缘间层包含有至少一SiO2层、一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一低k材料层其中之一者。135.如申请专利范围第134项之半导体装置的制造方法,其中,该低k材料层包含有一梯型氢矽氧烷层与一多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者。136.如申请专利范围第135项之半导体装置的制造方法,其中,该梯型氢矽氧烷层包含有一L-OXTM层。137.如申请专利范围第135项之半导体装置的制造方法,其中,该梯型氢矽氧烷层具有约为1.50g/cm3至1.58 g/cm3的一密度。138.如申请专利范围第135项之半导体装置的制造方法,其中,该梯型氢矽氧烷层于波长约为633nm处具有约为1.38至1.40的一折射率。139.如申请专利范围第135项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有在该梯型氢矽氧烷层与该多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者上设置由二氧化矽所制成的一遮罩绝缘层。140.如申请专利范围第133项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层于接近其一上侧处较于接近其一下侧处者具有一较大矽浓度。141.如申请专利范围第133项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层包含有一含矽铜层。142.如申请专利范围第141项之半导体装置的制造方法,其中,该含矽铜层之一矽组成是小于原子百分比8%。143.如申请专利范围第133项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层包含有一含矽铜合金层,而该含矽铜合金层包含有至少铝、银、钨、镁、铁、镍、锌、钯、镉、金、汞、铍、铂、锆、钛与锡其中之一者。144.如申请专利范围第133项之半导体装置的制造方法,其中,该第二金属扩散阻挡层包含有至少一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一有机材料层其中之一者。145.如申请专利范围第133项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层埋入步骤包含有:在该沟渠与该通孔中埋入一第二金属层(217);还原该第二金属层上的一第二氧化物;以及,将该第二金属层曝露于含矽气体,以便使该第二金属层转变成该第二含矽金属层。146.如申请专利范围第145项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化物之还原步骤系在包含有氨气、氮气、氢气、氦气与氩气至少其中之一者的一电浆气体中执行。147.如申请专利范围第145项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化物之还原步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二金属扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。148.如申请专利范围第133项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层埋入步骤包含有:在该凹槽中埋入一第二金属层(217.207);在该第二金属层上涂布一第二氧化防止层;移除该第二氧化防止层;以及,将该第二金属层曝露于含矽气体,以便于在移除该第二氧化防止层后让该第二金属层转变成该第二含矽金属层。149.如申请专利范围第148项之半导体装置的制造方法,其中,该含矽气体包含有无机矽烷气体。150.如申请专利范围第149项之半导体装置的制造方法,其中,该无机矽烷气体包含有SiH4气体、Si2H6气体与SiH2Cl2至少其中之一者。151.如申请专利范围第148项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层包含有一苯骈唑层。152.如申请专利范围第148项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有在涂布该第二氧化防止层前、还原该第二金属层上的一第二氧化物。153.如申请专利范围第152项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化物之还原步骤使用草酸。154.如申请专利范围第152项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层之移除步骤系在一温度约200至450℃下执行。155.如申请专利范围第154项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层之移除步骤系在包含有氨气、氮气、氢气、氦气与氩气至少其中之一者的一电浆气体中执行。156.如申请专利范围第148项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层之移除步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二金属扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。157.如申请专利范围第45项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有:在该第一金属扩散阻挡层上设置一第二绝缘间层(209);在该第二绝缘间层上设置一蚀刻停止层(210);针对该蚀刻停止层设置一第三绝缘间层(211a、211b);利用该蚀刻停止层在该第三绝缘间层中设置一沟渠,该沟渠系与该第一绝缘间层之该凹槽相对;在完成该沟渠后、往回蚀刻该蚀刻停止层;使用该蚀刻停止层作为一遮罩、在该第二绝缘间层中设置一通孔,该通孔系与该凹槽相对;使用该第三与第二绝缘间层作为一遮罩、往回蚀刻该第一金属扩散阻挡层;于往回蚀刻该第一金属扩散阻挡层后、在该沟渠与通孔中埋入未含有金属矽化物的一第二含矽金属层(222);以及,针对该第二含矽金属层与该第三绝缘间层设置一第二金属扩散阻挡层(218)。158.如申请专利范围第157项之半导体装置的制造方法,其中,该第二绝缘间层包含有至少一SiO2层、一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一低k材料层其中之一者。159.如申请专利范围第158项之半导体装置的制造方法,其中,该低k材料层包含有一梯型氢矽氧烷层与一多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者。160.如申请专利范围第159项之半导体装置的制造方法,其中,该梯型氢矽氧烷层包含有一L-OXTM层。161.如申请专利范围第159项之半导体装置的制造方法,其中,该梯型氢矽氧烷层具有约为1.50g/cm3至1.58 g/cm3的一密度。162.如申请专利范围第159项之半导体装置的制造方法,其中,该梯型氢矽氧烷层于波长约为633nm处具有约为1.38至1.40的一折射率。163.如申请专利范围第159项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有在该梯型氢矽氧烷层与该多孔性梯型氢矽氧烷层其中之一者上设置由二氧化矽所制成的一遮罩绝缘层。164.如申请专利范围第157项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层于接近其一上侧处较于接近其一下侧处者具有一较大矽浓度。165.如申请专利范围第157项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层包含有一含矽铜层。166.如申请专利范围第165项之半导体装置的制造方法,其中,该含矽铜层之一矽组成是小于原子百分比8%。167.如申请专利范围第157项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层包含有一含矽铜合金层,而该含矽铜合金层包含有至少铝、银、钨、镁、铁、镍、锌、钯、镉、金、汞、铍、铂、锆、钛与锡其中之一者。168.如申请专利范围第157项之半导体装置的制造方法,其中,该第二金属扩散阻挡层包含有至少一SiCN层、一SiC层、一SiOC层与一有机材料层其中之一者。169.如申请专利范围第157项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层埋入步骤包含有:在该沟渠与该通孔中埋入一第二金属层(217);还原该第二金属层上的一第二氧化物;以及,将该第二金属层曝露于含矽气体,以便使该第二金属层转变成该第二含矽金属层。170.如申请专利范围第169项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化物之还原步骤系在包含有氨气、氮气、氢气、氦气与氩气至少其中之一者的一电浆气体中执行。171.如申请专利范围第169项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化物之还原步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二金属扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。172.如申请专利范围第157项之半导体装置的制造方法,其中,该第二含矽金属层埋入步骤包含有:在该凹槽中埋入一第二金属层(217);在该第二金属层上涂布一第二氧化防止层;移除该第二氧化防止层;以及,将该第二金属层曝露于含矽气体,以便于在移除该第二氧化防止层后让该第二金属层转变成该第二含矽金属层。173.如申请专利范围第172项之半导体装置的制造方法,其中,该含矽气体包含有无机矽烷气体。174.如申请专利范围第173项之半导体装置的制造方法,其中,该无机矽烷气体包含有SiH4气体、Si2H6气体与SiH2Cl2至少其中之一者。175.如申请专利范围第172项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层包含有一苯骈唑层。176.如申请专利范围第172项之半导体装置的制造方法,其更包含步骤有在涂布该第二氧化防止层前、还原该第二金属层上的一第二氧化物。177.如申请专利范围第176项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化物之还原步骤使用草酸。178.如申请专利范围第176项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层之移除步骤系在一温度约200至450℃下执行。179.如申请专利范围第178项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层之移除步骤系在包含有氨气、氮气、氢气、氦气与氩气至少其中之一者的一电浆气体中执行。180.如申请专利范围第172项之半导体装置的制造方法,其中,该第二氧化防止层之移除步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二金属扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。181.一种半导体装置的制造方法,其包含步骤有:在一第一绝缘间层(103)中设置一第一凹槽;在该凹槽中埋入未含有金属矽化物的一第一含矽金属层(111);在该第一含矽金属层与该第一绝缘间层上设置一第一金属扩散阻挡层(109);在该第一金属扩散阻挡层上设置一第二绝缘间层(110),该第二绝缘间层与该第一金属扩散阻挡层具有与该第一绝缘间层之该凹槽相对的一通孔;在该通孔中埋入一金属层(134);在该金属层与该第二绝缘间层上设置一第二金属扩散阻挡层(136);在该第二金属扩散阻挡层上设置一第三绝缘间层(137.138),该第三绝缘间层与该第二金属扩散阻挡层具有与该通孔相对的一沟渠;在该沟渠中埋入未含有金属矽化物的一第二含矽金属层(143);以及,在该第二含矽金属层与该第三绝缘间层上设置一第三金属扩散阻挡层(144)。182.一种半导体装置的制造方法,其包含步骤有:在一绝缘间层(103)中设置一凹槽;在该凹槽中埋入一阻挡金属层(106);在该阻挡金属层上之该凹槽中埋入一铜层(107);还原该铜层上的一氧化物;于还原该氧化物后、将该铜层曝露于含矽气体,以便使该铜层转变成未含有矽化铜的一含矽铜层;以及,在该含矽铜层与该绝缘间层上设置一铜扩散阻挡层(109),该氧化物之还原步骤、该含矽气体之曝露步骤与该铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。183.一种半导体装置的制造方法,其包含步骤有:在一绝缘间层(103)中设置一凹槽;在该凹槽中埋入一阻挡金属层(106);在该阻挡金属层上之该凹槽中埋入一铜层(107);在该铜层上涂布一氧化防止层;移除该氧化防止层;于移除该氧化防止层后、将该铜层曝露于含矽气体,以便使该铜层转变成未含有矽化铜的一含矽铜层;以及,在该含矽铜层与该绝缘间层上设置一铜扩散阻挡层(109),该氧化物之还原步骤、该含矽气体之曝露步骤与该铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。184.一种半导体装置的制造方法,其包含步骤有:在一第一绝缘间层(103)中设置一凹槽;在该凹槽中埋入一第一阻挡金属层(106);在该第一阻挡金属层上之该凹槽中埋入一第一铜层(107);还原该第一铜层上的一第一氧化物;于还原该第一氧化物后、将该第一铜层曝露于含矽气体,以便使该第一铜层转变成未含有矽化铜的一第一含矽铜层;在该含矽铜层与该绝缘间层上设置一铜扩散阻挡层(109),在该第一铜扩散阻挡层上设置一第二绝缘间层(110);在该第二绝缘间层与该第一铜扩散阻挡层中设置一通孔,该通孔系与该凹槽相对;在该通孔中埋入一第二阻挡金属层(133);在该第二阻挡金属层上之该通孔中埋入一第二铜层(134);还原该第二铜层上的一第二氧化物;于还原该第二氧化物后、将该第二铜层曝露于含矽气体,以便使该第二铜层转变成未含有矽化铜的一第二含矽铜层;在该第二含矽铜层与该第二绝缘间层上设置一第二铜扩散阻挡层(136);在该第二铜扩散阻挡层上设置一第三绝缘间层(137.138);在该第三绝缘间层与该第二铜扩散阻挡层中设置一沟渠,该沟渠系与该通孔相对;在该沟渠中设置一第三阻挡金属层(141);在该第三阻挡金属层上之该沟渠中埋入一第三铜层(142);还原该第三铜层上的一第三氧化物;于还原该第三氧化物后、将该第三铜层曝露于含矽气体,以便使该第三铜层转变成未含有矽化铜的一第三含矽铜层;以及,在该第三含矽铜层与该第三绝缘间层上设置一第三铜扩散阻挡层(144),该第一氧化物之还原步骤、该第一含矽气体之曝露步骤与该第一铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行,该第二氧化物之还原步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行,该第三氧化物之还原步骤、该第三含矽气体之曝露步骤与该第三铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。185.一种半导体装置的制造方法,其包含步骤有:在一第一绝缘间层(103)中设置一凹槽;在该凹槽中设置一第一阻挡金属层(106);在该第一阻挡金属层上之该凹槽中埋入一第一铜层(107);在该第一铜层上涂布一第一氧化防止层;移除该第一氧化防止层;于移除该第一氧化防止层后、将该第一铜层曝露于含矽气体,以便使该第一铜层转变成未含有矽化铜的一第一含矽铜层;在该第一含矽铜层与该第一绝缘间层上设置一第一铜扩散阻挡层(109),在该第一铜扩散阻挡层上设置一第二绝缘间层(110);在该第二绝缘间层与该第一铜扩散阻挡层中设置一通孔,该通孔系与该凹槽相对;在该通孔中埋入一第二阻挡金属层(133);在该第二阻挡金属层上之该通孔中埋入一第二铜层(134);在该第二铜层上涂布一第二氧化防止层;移除该第二氧化防止层;于移除该第二氧化防止层后、将该第二铜层曝露于含矽气体,以便使该第二铜层转变成未含有矽化铜的一第二含矽铜层;在该第二含矽铜层与该第二绝缘间层上设置一第二铜扩散阻挡层(136);在该第二铜扩散阻挡层上设置一第三绝缘间层(137.138);在该第三绝缘间层与该第二铜扩散阻挡层中设置一沟渠,该沟渠系与该通孔相对;在该沟渠中设置一第三阻挡金属层(141);在该第三阻挡金属层上之该沟渠中埋入一第三铜层(142);在该第三铜层上涂布一第三氧化防止层;移除该第三氧化防止层;于移除该第三氧化防止层后、将该第三铜层曝露于含矽气体,以便使该第三铜层转变成未含有矽化铜的一第三含矽铜层;以及,在该第三含矽铜层与该第三绝缘间层上设置一第三铜扩散阻挡层(144),该第一氧化防止层之移除步骤、该第一含矽气体之曝露步骤与该第一铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行,该第二氧化防止层之移除步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行,该第三氧化防止层之移除步骤、该第三含矽气体之曝露步骤与该第三铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。186.一种半导体装置的制造方法,其包含步骤有:在一第一绝缘间层(203)中设置一凹槽;在该凹槽中设置一第一阻挡金属层(206);在该第一阻挡金属层上之该凹槽中埋入一第一铜层(207);还原该第一铜层上的一第一氧化物;于还原该第一氧化物后、将该第一铜层曝露于含矽气体,以便使该第一铜层转变成未含有矽化铜的一第一含矽铜层;在该第一含矽铜层与该第一绝缘间层上设置一第一铜扩散阻挡层(208),在该第一铜扩散阻挡层上设置一第二与第三绝缘间层(209.211a、211b);在该第三与第二绝缘间层中设置一通孔,该通孔系与该凹槽相对;在该第三绝缘间层中设置一沟渠,该沟渠系与该通孔相对;于完成该沟渠后、往回蚀刻该第一铜扩散阻挡层;在该第一含矽铜层上之该沟渠与该通孔中设置一第二阻挡金属层(216);在该第二阻挡金属层上之该沟渠与该通孔中埋入一第二铜层(217);还原该第二铜层上的一第二氧化物;于还原该第二氧化物后、将该第二铜层曝露于含矽气体,以便使该第二铜层转变成未含有矽化铜的一第二含矽铜层;以及,在该第二含矽铜层与该第二绝缘间层上设置一第二铜扩散阻挡层(218),该第一氧化物之还原步骤、该第一含矽气体之曝露步骤与该第一铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行,该第二氧化物之还原步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。187.一种半导体装置的制造方法,其包含步骤有:在一第一绝缘间层(203)中设置一凹槽;在该凹槽中设置一第一阻挡金属层(206);在该第一阻挡金属层上之该凹槽中埋入一第一铜层(207);涂布一第一氧化防止层;移除该第一氧化防止层;于移除该第一氧化防止层后、将该第一铜层曝露于含矽气体,以便使该第一铜层转变成未含有矽化铜的一第一含矽铜层;在该第一含矽铜层与该第一绝缘间层上设置一第一铜扩散阻挡层(208),在该第一铜扩散阻挡层上设置一第二与第三绝缘间层(209.211a、211b);在该第三与第二绝缘间层中设置一通孔,该通孔系与该凹槽相对;在该第三绝缘间层中设置一沟渠,该沟渠系与该通孔相对;于完成该沟渠后、往回蚀刻该第一铜扩散阻挡层;在该第一含矽铜层上之该沟渠与该通孔中设置一第二阻挡金属层(216);在该第二阻挡金属层上之该沟渠与该通孔中埋入一第二铜层(217);在该第二铜层上涂布一第二氧化防止层;移除该第二氧化防止层;于移除该第二氧化防止层后、将该第二铜层曝露于含矽气体,以便使该第二铜层转变成未含有矽化铜的一第二含矽铜层;以及,在该第二含矽铜层与该第二绝缘间层上设置一第二铜扩散阻挡层(218),该第一氧化防止层之移除步骤、该第一含矽气体之曝露步骤与该第一铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行,该第二氧化防止层之移除步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。188.一种半导体装置的制造方法,其包含步骤有:在一第一绝缘间层(203)中设置一凹槽;在该凹槽中设置一第一阻挡金属层(206);在该第一阻挡金属层上之该凹槽中埋入一第一铜层(207);还原该第一铜层上的一第一氧化物;于还原该第一氧化物后、将该第一铜层曝露于含矽气体,以便使该第一铜层转变成未含有矽化铜的一第一含矽铜层;在该第一含矽铜层与该第一绝缘间层上设置一第一铜扩散阻挡层(208),在该第一铜扩散阻挡层上设置一第二绝缘间层(209)与一蚀刻停止层(210);在该蚀刻停止层中设置一通孔,该通孔系与该凹槽相对;于完成该通孔后、在该蚀刻停止层上设置一第三绝缘间层(211a、211b);使用该蚀刻停止层作为一遮罩、在该第三绝缘间层中设置一沟渠并在该第二绝缘间层中设置一通孔,该沟渠系与该通孔相对;于完成该沟渠后、往回蚀刻该第一铜扩散阻挡层;在该第一含矽铜层上之该沟渠与该通孔中设置一第二阻挡金属层(216);在该第二阻挡金属层上之该沟渠与该通孔中埋入一第二铜层(217);还原该第二铜层上的一第二氧化物;于还原该第二氧化物后、将该第二铜层曝露于含矽气体,以便使该第二铜层转变成未含有矽化铜的一第二含矽铜层;以及,在该第二含矽铜层与该第二绝缘间层上设置一第二铜扩散阻挡层(218),该第一氧化物之还原步骤、该第一含矽气体之曝露步骤与该第一铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行,该第二氧化物之还原步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。189.一种半导体装置的制造方法,其包含步骤有:在一第一绝缘间层(203)中设置一凹槽;在该凹槽中设置一第一阻挡金属层(206);在该第一阻挡金属层上之该凹槽中埋入一第一铜层(207);在该第一铜层上涂布一第一氧化防止层;移除该第一氧化防止层;于移除该第一氧化防止层后、将该第一铜层曝露于含矽气体,以便使该第一铜层转变成未含有矽化铜的一第一含矽铜层;在该第一含矽铜层与该第一绝缘间层上设置一第一铜扩散阻挡层(208),在该第一铜扩散阻挡层上设置一第二绝缘间层(209)与一蚀刻停止层(210);在该蚀刻停止层中设置一通孔,该通孔系与该凹槽相对;于完成该通孔后、在该蚀刻停止层上设置一第三绝缘间层(211a、211b);使用该蚀刻停止层作为一遮罩、在该第三绝缘间层中设置一沟渠并在该第二绝缘间层中设置一通孔,该沟渠系与该通孔相对;于完成该沟渠后、往回蚀刻该第一铜扩散阻挡层;在该第一含矽铜层上之该沟渠与该通孔中设置一第二阻挡金属层(216);在该第二阻挡金属层上之该沟渠与该通孔中埋入一第二铜层(217);在该第二铜层上涂布一第二氧化防止层;移除该第二氧化防止层;于加热该第二氧化防止层后、将该第二铜层曝露于含矽气体,以便使该第二铜层转变成未含有矽化铜的一第二含矽铜层;以及,在该第二含矽铜层与该第二绝缘间层上设置一第二铜扩散阻挡层(218),该第一氧化防止层之移除步骤、该第一含矽气体之曝露步骤与该第一铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行,该第二氧化防止层之移除步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。190.一种半导体装置的制造方法,其包含步骤有:在一第一绝缘间层(203)中设置一凹槽;在该凹槽中设置一第一阻挡金属层(206);在该第一阻挡金属层上之该凹槽中埋入一第一铜层(207);还原该第一铜层上的一第一氧化物;于还原该第一氧化物后、将该第一铜层曝露于含矽气体,以便使该第一铜层转变成未含有矽化铜的一第一含矽铜层;在该第一含矽铜层与该第一绝缘间层上设置一第一铜扩散阻挡层(208),在该第一铜扩散阻挡层上设置一第二绝缘间层(209)、一蚀刻停止层(210)与一第三绝缘间层(211a、211b);在该第三绝缘间层中设置一沟渠,该沟渠系与该凹槽相对;于完成该沟渠后、往回蚀刻该蚀刻停止层;在该第二绝缘间层中设置一通孔,该通孔系与该凹槽相对;于完成该通孔后、往回蚀刻该第一铜扩散阻挡层;在该第一含矽铜层上之该沟渠与该通孔中设置一第二阻挡金属层(216);在该第二阻挡金属层上之该沟渠与该通孔中埋入一第二铜层(217);还原该第二铜层上的一第二氧化物;于还原该第二氧化物后、将该第二铜层曝露于含矽气体,以便使该第二铜层转变成未含有矽化铜的一第二含矽铜层;以及,在该第二含矽铜层与该第二绝缘间层上设置一第二铜扩散阻挡层(218),该第一氧化物之还原步骤、该第一含矽气体之曝露步骤与该第一铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行,该第二氧化物之还原步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。191.一种半导体装置的制造方法,其包含步骤有:在一第一绝缘间层(203)中设置一凹槽;在该凹槽中设置一第一阻挡金属层(206);在该第一阻挡金属层上之该凹槽中埋入一第一铜层(207);在该第一铜层上涂布一第一氧化防止层;移除该第一氧化防止层;于移除该第一氧化防止层后、将该第一铜层曝露于含矽气体,以便使该第一铜层转变成未含有矽化铜的一第一含矽铜层;在该第一含矽铜层与该第一绝缘间层上设置一第一铜扩散阻挡层(208),在该第一铜扩散阻挡层上设置一第二绝缘间层(209)、一蚀刻停止层(210)与一第三绝缘间层(211a、211b);在该第三绝缘间层中设置一沟渠,该沟渠系与该凹槽相对;于完成该沟渠后、往回蚀刻该蚀刻停止层;在该第二绝缘间层中设置一通孔,该通孔系与该凹槽相对;于完成该通孔后、往回蚀刻该第一铜扩散阻挡层;在该第一含矽铜层上之该沟渠与该通孔中设置一第二阻挡金属层(216);在该第二阻挡金属层上之该沟渠与该通孔中埋入一第二铜层(217);在该第二铜层上涂布一第二氧化防止层;移除该第二氧化防止层;于移除该第二氧化防止层后、将该第二铜层曝露于含矽气体,以便使该第二铜层转变成未含有矽化铜的一第二含矽铜层;以及,在该第二含矽铜层与该第二绝缘间层上设置一第二铜扩散阻挡层(218),该第一氧化防止层之移除步骤、该第一含矽气体之曝露步骤与该第一铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行,该第二氧化防止层之移除步骤、该第二含矽气体之曝露步骤与该第二铜扩散阻挡层之设置步骤系在该半导体装置非曝露于空气下、于相同制程装置中执行。图式简单说明:图1A至1H是说明用来制造半导体装置的第一先前技术方法之横剖面图;图2A至2P是说明用来制造半导体装置的第二先前技术方法之横剖面图;图3是显示由如图2A至2P所示之方法所获得的通孔结构产率之图示。图4是说明习用平行板式电浆化学气相沉积CVD装置之横剖面图。图5A至5J是说明用来制造本发明之半导体装置的第一实施例方法之横剖面图;图6是显示图5I之含矽铜层内的矽组成分布之图示。图7是Cu-Si之相图。图8A与8B是说明如图5A至5J所示之制造方法的变化例之横剖面图;图9A至9S是说明用来制造本发明之半导体装置的第二实施例方法之横剖面图;图10A至10V是说明用来制造本发明之半导体装置的第三实施例方法之横剖面图;图11是显示由如图10A至10V所示之方法所获得的半导体装置之失败率特性图示;图12是显示由如图10A至10V所示之方法所获得的半导体装置之产率特性图示;图13A至13F是说明用来制造本发明之半导体装置的第四实施例方法之横剖面图;图14是显示纯铜与含矽铜的反射性特性之图示;图15A至15F是说明用来制造本发明之半导体装置的第五实施例方法之横剖面图;图16A是显示梯型氢矽氧烷的化学结构之图示;图16B是显示如图16A所示之梯型氢矽氧烷的特性之表格;图16C是显示如图16A所示之梯型氢矽氧烷的吸收特性之图示;图16D是显示如图16A所示之的密度与折射率特性之图示;图17是显示氢化倍半氧矽烷(HSQ)的化学结构之图示;图18.19与20是显示本发明之梯型氢矽氧烷与氢化倍半氧矽烷(HSQ)的特性之图示;图21A是半导体晶圆之图示;以及,图21B是显示在如图21A所示的半导体晶圆上之梯型氢矽氧烷与HSQ的蚀刻量之表格。 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