| 主权项 |
1.一种形成一半导体结构之含金属块之方法,其包含:提供一半导体基板;提供一或多个最近似该基板之有机金属前驱物,至少一或多个前驱物其中之一未包含铂;将一或多个前驱物曝露于一还原中,以释放该前驱物中之金属;及将该释放之金属沉积于该半导体基板,以在该半导体基板上形成一含金属块。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板包含一上表面,其由TiN、元素Ti、WN、元素W、TaN和元素Ta中之一或多个组成;且其中该上表面在该含金属块形成过程中曝露于该还原中。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板包含一可氧化上表面;且其中该含金属块紧贴该上表面形成;至少在一些金属释放过程中,该可氧化上表面曝露于该还原空气中。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板包含一上表面,其由TiN、元素Ti、WN、元素W、TaN和元素Ta中之一或多个组成;且其中该含金属块紧贴该上表面形成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该一个或多个前驱物包含钌,且其中该释放金属基本由钌组成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该一个或多个前驱物包含铑,且其中该释放金属基本由铑组成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该一个或多个前驱物包含铱,且其中该释放金属基本由铱组成。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该一个或多个前驱物包含钴,且其中该释放金属基本由钴组成。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该一个或多个前驱物包含钯,且其中该释放金属基本由钯组成。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该一个或多个前驱物包含镍,且其中该释放金属基本由镍组成。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该一个或多个前驱物包含三羰基环己二烯钌。12.如申请专利范围第1项之方法,其中该还原包含NH3。13.如申请专利范围第1项之方法,其中该还原包含活性氢。14.如申请专利范围第1项之方法,其中该还原包含H2。15.一种形成一半导体结构之含金属块之方法,其包含:提供一半导体基板;提供一最近似该基板之一包含金属前驱物;将该包含金属前驱物曝露于NH3中,以释放该前驱物中之金属;及将该释放之金属沉积于该半导体基板以形成该含金属块。16.如申请专利范围第15项之方法,其中包含曝露该前驱物于一由NH3组成之介质中,以释放该前驱物中之该金属。17.如申请专利范围第15项之方法,其中该前驱物包含钌,且其中该释放金属基本由钌组成。18.如申请专利范围第15项之方法,其中该前驱物包含铑,且其中该释放金属基本由铑组成。19.如申请专利范围第15项之方法,其中该前驱物包含铱,且其中该释放金属基本由铱组成。20.如申请专利范围第15项之方法,其中该前驱物包含钴,且其中该释放金属基本由钴组成。21.如申请专利范围第15项之方法,其中该前驱物包含钯,且其中该释放金属基本由钯组成。22.如申请专利范围第15项之方法,其中该前驱物包含铂,且其中该释放金属基本由铂组成。23.如申请专利范围第15项之方法,其中该前驱物包含镍,且其中该释放金属基本由镍组成。24.一种形成一电容器之方法,其包含:提供一半导体基板其具有一电气节点为其支撑;形成一电气互连与该节点电气接触,该电气互连包含导电掺杂矽;在该电气互连上形成一导电材料,该导电材料包含TiN、WN、TaN、元素Ta、元素Ti及元素W中之一或多个;提供一最近似于该导电材料之包含金属前驱物;曝露该前驱物于一还原中,以释放该前驱物中之金属;将该释放之金属沉积于该介电材料以形成一第一电容器电极;在该第一电容器电极上形成一介电材料;及在该介电材料上形成一第二电容器电极。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该前驱物包含钌,且其中该释放金属基本由钌组成。26.如申请专利范围第24项之方法,其中该前驱物包含铑,且其中该释放金属基本由铑组成。27.如申请专利范围第24项之方法,其中该前驱物包含铱,且其中该释放金属基本由铱组成。28.如申请专利范围第24项之方法,其中该前驱物包含钴,且其中该释放金属基本由钴组成。29.如申请专利范围第24项之方法,其中该前驱物包含钯,且其中该释放金属基本由钯组成。30.如申请专利范围第24项之方法,其中该前驱物包含铂,且其中该释放金属基本由铂组成。31.如申请专利范围第24项之方法,其中该前驱物包含镍,且其中该释放金属基本由镍组成。32.如申请专利范围第24项之方法,其中该前驱物包含三羰基环己二烯钌。33.如申请专利范围第24项之方法,其中该还原包含NH3。34.如申请专利范围第24项之方法,其中该还原包含活性氢。35.如申请专利范围第24项之方法,其中该还原包含H2。36.如申请专利范围第24项之方法,其中该导电材料由TiN、元素Ti、WN、元素W、TaN及元素Ta中之一或多个组成。37.如申请专利范围第24项之方法,其中该第二电容器电极包含导电掺杂矽。38.如申请专利范围第24项之方法,其中该第二电容器电极包含金属;且其中该第二电容器电极之形成包含曝露一包含金属前驱物于一还原中。39.如申请专利范围第24项之方法,其中该第二电容器电极包含金属;且其中第二电容器电极之形成包含曝露一含金属前驱物于一氧化空气中。40.如申请专利范围第24项之方法,其中该第二电容器电极包含金属;且其中该介电材料包含一氧化物,且其中该第二电容器电极之形成包含曝露一含金属前驱物于一氧化空气中。41.如申请专利范围第24项之方法,其中该第二电容器电极包含金属;且其中该介电材料包含一Ta2O5,且其中该第二电容器电极之形成包含曝露一含金属前驱物于一氧化空气中,该氧化环境由N2O、O2及O3中之一或多个成分组成。图式简单说明:该图为一半导体晶圆片段的横截面简图,呈现本发明一具体实施例。 |
