| 主权项 |
1.一种发光装置,包括:一发光二极体(LED);一支架;一磷物质,放置于该发光二极体至少一部分的周围;及一填胶,放置该发光二极体的一第一表面及一支架的第一表面之间,其中该填胶具有降低发光二极体被磷物质污染的特性。2.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该发光二极体具有一反射层。3.如申请专利范围第2项之发光装置,其中该反射层包括银。4.如申请专利范围第1项之发光装置,其中支架包括一矽基板。5.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该磷材料包括硫代硫酸锶、硫代硫酸钙、硫化锶及任一组合所组成之群组中所选出之材料。6.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该磷材料包括硫化合物。7.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该磷材料进而包括一除气化合物,该除气化合物包括一除气离子及异荷离子,而除气离子包括由VA族元素、VB族元素、VIB族元素、VIA族元素、有机配体、及任一组合所组成之群组中所选出之材料。8.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该填胶包含氰酸酯树脂、环氧树脂、氨基钾酸酯及任一可能之组合所组成之群组中所选出之材料。9.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该填胶包括一填料。10.如申请专利范围第9项之发光装置,其中该填料包括由二氧化矽、制二氧化矽、二氧化钛、无机矽酸盐、无机黏土、钝金属、金属氧化物或任一可能之组合所组成之群组中所选出之材料。11.如申请专利范围第9项之发光装置,其中该填料是可反射的。12.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该填料包括除气化合物,该除气化合物是由一个除气离子及一个异荷离子所组成,该除气离子包括由VA族元素、VB族元素、VIB族元素、VIA族元素、有机配体、及任一可能之组合所组成之群组中所选出之材料。13.如申请专利范围第12项之发光装置,其中该填料尚包括制二氧化矽。14.如申请专利范围第12项之发光装置,其中该除气离子包括由铬、钼、钨、钒、铌、钽、铋、铪、铅及任一可能之组合所组成之群组中所选出之材料。15.如申请专利范围第12项之发光装置,其中该除气离子和硫化物离子形成一化合物,其溶解度积小于约10-30。16.一种制作发光装置的方法,此方法包括:提供一发光二极体;发光二极体周围至少一部分沉积磷材料;及在发光二极体第一表面及支架第一表面间沉积填胶,此填胶将会减少因磷材料造成发光二极体的污染。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该发光二极体包括提供具有一银反射层之发光二极体。18.如申请专利范围第16项之方法,其中该沉积磷材料包括沉积一材料,该材料选自由硫代硫酸锶、硫代硫酸钙、硫化锶及任一组合所组成之群组。19.如申请专利范围第16项之方法,其中该磷材料包括沉积硫化合物。20.如申请专利范围第16项之方法,其中该填胶包括沉积由氰酸酯树脂、环氧树脂、环氧基、氨基钾酸酯、丙烧酸酯及任一组合所组成之群组中所选出的材料。21.如申请专利范围第16项之方法,其中该填胶包括沉积除气化合物,该除气化合物包括一除气离子及一异荷离子,该除气离子包括由VA族元素、VB族元素、VIB族元素、IVA族元素、有机配体、及任一组合所组成之群组中所选出之材料。图式简单说明:图1此为倒装晶片发光二极体之封装示意图,及图2根据本发明一实施例,倒装晶片发光二极体之示意图。 |
