| 主权项 |
1.一种镶埋于IC封装基板之转折型电容元件结构,其系包括有:一内层电路板,系形成于IC封装基板内部;一第一导电元件,该第一导电元件系设置于内层电路板表面,并形成有复数个转折处;一第二导电元件,该第二导电元件系设置于内层电路板表面,并对应第一导电元件以形成有复数个转折处;以及一介电层,该介电层系填充于前述第一、二导电元件间,使该二导电元件可相互隔离。2.如申请专利范围第1项所述之镶埋于IC封装基板之转折型电容元件结构,其中该第一导电元件转折处系呈一垂直弯角之角度。3.如申请专利范围第1项所述之镶埋于IC封装基板之转折型电容元件结构,其中该第二导电元件转折处系呈一垂直弯角之角度。4.如申请专利范围第1项所述之镶埋于IC封装基板之转折型电容元件结构,其中该介电层系为一具有高介电系数之介电材质所构成。5.如申请专利范围第1项所述之镶埋于IC封装基板之转折型电容元件结构,其中第一导电元件与第二导电元件于每一转折区系为互相平行。6.如申请专利范围第1项所述之镶埋于IC封装基板之转折型电容元件结构,其中第一导电元件可以导线与导通孔连接。7.如申请专利范围第1项所述之镶埋于IC封装基板之转折型电容元件结构,其中第二导电元件可以导线与导通孔连接。图式简单说明:图一系为习知电容元件嵌设于IC封装基板之示意图。图二系为习知电容元件镶埋于IC封装基板之示意图。图三系为本创作具有转折型电容元件之立体示意图。图四A系为本创作镶埋于IC封装基板之转折型电容元件之上视图。图四B系为本创作具有转折型之电容元件埋设于一基板之示意图。 |
