| 主权项 |
1.一种晶圆乾燥装置,至少包括:一储放槽;一乾燥室;一第一管路连通该储放槽与该乾燥室;一温控装置,用以控制该储放槽、该乾燥室、以及该第一管路之温度;以及一压力控制装置与该乾燥室连通。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆乾燥装置,其中该储放槽与该乾燥室之间更设置有一第一物质流量控制器(Mass Flow Controller)。3.如申请专利范围第1项所述之晶圆乾燥装置,其中更至少包括一氮气(N2)源以及一第二管路,且该氮气源透过该第二管路而与该储放槽以及该乾燥室间之该第一管路连通。4.如申请专利范围第3项所述之晶圆乾燥装置,其中该氮气源与该乾燥室之间更至少包括一第二物质流量控制器。5.如申请专利范围第1项所述之晶圆乾燥装置,其中该压力控制装置至少包括一乾式泵(DryPump)以及一第三管路,且该第三管路连通该乾式泵与该乾燥室。6.如申请专利范围第5项所述之晶圆乾燥装置,其中该压力控制装置更至少包括一节流阀(Throttle Valve)位于该乾式泵与该乾燥室之间。7.一种晶圆乾燥装置,至少包括:一储放槽,其中该储放槽系用以放置一有机溶液;一乾燥室,用以乾燥复数个晶圆;一第一管路连通该储放槽与该乾燥室;一温控装置,用以控制该储放槽、该乾燥室、以及该第一管路之温度;以及一压力控制装置,用以控制该储放槽、该乾燥室、以及该第一管路之压力,其中,运用该晶圆乾燥装置对该些晶圆进行一乾燥步骤时,该温控装置将该储放槽、该乾燥室、以及该第一管路之温度控制在一预设温度,且该压力控制装置将该储放槽、该乾燥室、以及该第一管路之压力控制在一预设压力下,藉以使该储放槽中之该有机溶液转变成一有机溶液蒸汽,并使该有机溶液蒸汽透过该第一管路传输至该乾燥室中以吹拭该些晶圆。8.如申请专利范围第7项所述之晶圆乾燥装置,其中该有机溶液为异丙醇(IPA)。9.如申请专利范围第7项所述之晶圆乾燥装置,其中该储放槽与该乾燥室之间更设置有一第一物质流量控制器,以控制从该储放槽传送至该乾燥室之该有机溶液蒸汽的流量。10.如申请专利范围第7项所述之晶圆乾燥装置,其中更至少包括一氮气源以及一第二管路,且该氮气源透过该第二管路而与该储放槽以及该乾燥室间之该第一管路连通,以提供一氮气与该有机溶液蒸汽混合。11.如申请专利范围第10项所述之晶圆乾燥装置,其中该氮气源与该乾燥室之间更至少包括一第二物质流量控制器,以控制从该氮气源传送至该乾燥室之该氮气的流量。12.如申请专利范围第7项所述之晶圆乾燥装置,其中该乾燥室之底部具有一纯水用以清洗该些晶圆,且该纯水之温度低于该预设温度。13.如申请专利范围第7项所述之晶圆乾燥装置,其中该压力控制装置至少包括一乾式泵以及一第三管路,且该第三管路连通该乾式泵与该乾燥室。14.如申请专利范围第13项所述之晶圆乾燥装置,其中该压力控制装置更至少包括一节流阀位于该乾式泵与该乾燥室之间。15.一种晶圆乾燥方法,至少包括:提供一乾燥装置,其中该乾燥装置至少包括:一储放槽,且该储放槽内具有一有机溶液;一乾燥室,其中该乾燥室至少包括一纯水以及复数个晶圆位于该纯水中;以及一第一管路连通该储放槽与该乾燥室;加热该储放槽内之该有机溶液,藉以使该有机溶液转变成一有机溶液蒸汽而透过该第一管路吹入该乾燥室;以及移动该些晶圆,藉以使该有机溶液蒸汽吹拂该些晶圆,并使该些晶圆与该纯水分离。16.如申请专利范围第15项所述之晶圆乾燥方法,其中该储放槽与该乾燥室之间更设置有一第一物质流量控制器,以控制从该储放槽传送至该乾燥室之该有机溶液蒸汽的流量。17.如申请专利范围第15项所述之晶圆乾燥方法,其中该乾燥装置更至少包括一氮气源以及一第二管路,且该氮气源透过该第二管路而与该储放槽以及该乾燥室间之该第一管路连通,以提供一氮气与该有机溶液蒸汽混合。18.如申请专利范围第17项所述之晶圆乾燥方法,其中该乾燥装置更至少包括一第二物质流量控制器位于该氮气源与该乾燥室之间,以控制从该氮气源传送至该乾燥室之该氮气的流量。19.如申请专利范围第15项所述之晶圆乾燥方法,其中该乾燥装置更至少包括一温控装置以及一压力控制装置,以控制该储放槽、该第一管路、以及该乾燥室之温度与压力。20.如申请专利范围第19项所述之晶圆乾燥方法,其中该压力控制装置至少包括一乾式泵以及一第三管路,且该第三管路连通该乾式泵与该乾燥室。21.如申请专利范围第20项所述之晶圆乾燥方法,其中该压力控制装置更至少包括一节流阀位于该乾式泵与该乾燥室之间。22.如申请专利范围第19项所述之晶圆乾燥方法,其中加热该储放槽内之该有机溶液的步骤中,更至少包括:利用该压力控制装置控制该储放槽、该第一管路、以及该乾燥室至一预设压力;以及利用该温控装置控制该储放槽、该第一管路、以及该乾燥室至一预设温度,其中该预设温度大于等于该有机溶液之沸点。23.如申请专利范围第22项所述之晶圆乾燥方法,其中该有机溶液为异丙醇。24.如申请专利范围第23项所述之晶圆乾燥方法,其中该预设压力介于0.1巴至0.2巴。25.如申请专利范围第23项所述之晶圆乾燥方法,其中该预设温度大于等于50℃。26.一种晶圆乾燥方法,至少包括:提供一乾燥装置,其中该乾燥装置至少包括:一储放槽,且该储放槽内具有一有机溶液;一乾燥室,其中该乾燥室至少包括一纯水以及复数个晶圆位于该纯水中;一第一管路连通该储放槽与该乾燥室;一温控装置,用以控制该储放槽、该第一管路、以及该乾燥室之温度;以及一压力控制装置,用以控制该储放槽、该第一管路、以及该乾燥室之压力;加热该有机溶液,藉以使该有机溶液转变成一有机溶液蒸汽而透过该第一管路吹入该乾燥室;以及移动该些晶圆,藉以使该有机溶液蒸汽吹拂该些晶圆,并使该些晶圆与该纯水分离。27.如申请专利范围第26项所述之晶圆乾燥方法,其中该储放槽与该乾燥室之间更设置有一第一物质流量控制器,以控制从该储放槽传送至该乾燥室之该有机溶液蒸汽的流量。28.如申请专利范围第26项所述之晶圆乾燥方法,其中该乾燥装置更至少包括一氮气源以及一第二管路,且该氮气源透过该第二管路而与该储放槽以及该乾燥室间之该第一管路连通,以提供一氮气与该有机溶液蒸汽混合。29.如申请专利范围第28项所述之晶圆乾燥方法,其中该乾燥装置更至少包括一第二物质流量控制器位于该氮气源与该乾燥室之间,以控制从该氮气源传送至该乾燥室之该氮气的流量。30.如申请专利范围第26项所述之晶圆乾燥方法,其中该压力控制装置至少包括一乾式泵以及一第三管路,且该第三管路连通该乾式泵与该乾燥室。31.如申请专利范围第30项所述之晶圆乾燥方法,其中该压力控制装置更至少包括一节流阀位于该乾式泵与该乾燥室之间。32.如申请专利范围第26项所述之晶圆乾燥方法,其中加热该有机溶液的步骤中,更至少包括:利用该压力控制装置控制该储放槽、该第一管路、以及该乾燥室至一预设压力;以及利用该温控装置控制该储放槽、该第一管路、以及该乾燥室至一预设温度,其中该预设温度大于等于该有机溶液之沸点。33.如申请专利范围第32项所述之晶圆乾燥方法,其中该有机溶液为异丙醇。34.如申请专利范围第33项所述之晶圆乾燥方法,其中该预设压力介于0.1巴至0.2巴。35.如申请专利范围第33项所述之晶圆乾燥方法,其中该预设温度大于等于50℃。图式简单说明:第1图系绘示习知马南根尼之晶圆乾燥装置的示意图;第2图系绘示本发明之一较佳实施例之晶圆乾燥装置的示意图;以及第3图系绘示本发明之一较佳实施例之晶圆乾燥方法的流程图。 |
