| 主权项 |
1.一种电流侦测方法,可应用于一切换电路(1),其使用至少一切换电晶体(P1,N1),以供应一预定负载电流(IL)至一负载,包括下列步骤:侦测导通的该切换电晶体之一端点电压;以及决定基于该侦测端点电压之流经该切换电晶体的一电流。2.一种电流侦测电路,可应用于一切换电路(1),其使用至少一切换电晶体(P1,N1),以供应一预定负载电流(IL)至一负载,包括:一取样保持电容器(C2,C3),用以暂时保持导通的该切换电晶体之端点电压(VP1,VN1);一开关(31,32),系嵌入于该切换电晶体与该取样保持电容器之间;一控制器(30),用以控制该开关的导通与该切换电晶体的导通时序同步;以及一侦测器,用以侦测该取样保持电容器的充电电压来当作侦测电压(VS1,VS2)。3.如申请专利范围第2项之电流侦测电路,其中该切换电路系一脉冲宽调制(PWM)放大器,其使用会交替地导通或关闭之一对PMOS电晶体(P1)及NMOS电晶体(N1),以致于该负载电流会从该PMOS电晶体与该NMOS电晶体的汲极间之一连接点(A)取得。4.一种过电流保护电路,可应用于一切换电路(1),其使用至少一切换电晶体(P1),以供应一预定负载电流(IL)至一负载,包括:一取样保持电容器(C2),用以暂时保持导通的该切换电晶体之一端点电压(VP1):一开关(31),系嵌入于该切换电晶体与该取样保持电容器之间且其会控制为与该切换电晶体的导通时序同步导通;一过电流决定装置(50),用以决定对应于该取样保持电容器的一充电电压之一侦测电压(VS1)是否超过预先设定的参考电压(VREF);以及一控制器(60),当该侦测电压超过该参考电压时,用以强迫地关闭基于该过电流决定装置的输出之该切换电晶体。5.如申请专利范围第4项之过电流保护电路,其中该过电流决定装置系一比较器,用以比较该侦测电压与该参考电压。6.如申请专利范围第4项之过电流保护电路,其中该切换电路系一脉冲宽调制(PWM)放大器,其使用会交替地导通或关闭之一对PMOS电晶体(P1)及NMOS电晶体(N1),以致于该负载电流会从该PMOS电晶体与该NMOS电晶体的汲极间之一连接点(A)取得。图式简单说明:图1系显示根据本发明之一较佳具体实施例之脉冲宽调制(PWM)放大器的配置之电路图;图2显示的是在PWM放大器中之切换电晶体之间之连接点的电压变化波形,以及表示从PWM放大器,经由低通滤波器之负载电流IL输出的波形;图3系显示配置连接于PWM放大器中的切换电晶体之电流侦测电路的电路图;图4A显示的是表示PMOS电晶体之端点电压变化的波形;图4B显示的是表示流经PMOS电晶体之电流变化的波形;图4C显示的是表示用以控制配置连接于PMOS电晶体的类比开关之第一控制信号VCONT1变化的波形;图4D显示的是表示周期性充电所产生的侦测电压VS1变化及配置连接于PMOS电晶体的电容器之放电运作的波形;图5显示的是配置连接于PMOS电晶体之过电流保护电路的配置;图6A显示的是表示图5中所显示的PMOS电晶体之端点电压VP1变化的波形;图6B显示的是表示图5中配置连接于PMOS电晶体的电容器所侦测之侦测电压VS1变化的波形;图6C显示的是图5中所显示的比较器之输出;图6D显示的是图5中所显示的控制电路之输出;图6E显示的是表示用以周期性地导通及关闭图5中所显示的类比开关之控制信号变化的波形;以及图7系显示使用分别配置连接于PMOS电晶体及NMOS电晶体的继电器接点之过电流保护电路的一修饰例子之电路图。 |
