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Un método para producir SiC monocristalino a granel, que comprende: vaporizar Si para producir vapor como fuente de Si; introducir el vapor como fuente de Si en un recinto de crecimiento de cristales que contiene una interfase de crecimiento del cristal; proporcionar un gas que contiene CN como una fuente de especies en estado de vapor de carbono en el recinto de crecimiento de cristales; y depositar las especies en estado de vapor de Si y C en la interfase de crecimiento del cristal en condiciones que establecen el crecimiento de SiC monocristalino a granel en ella.
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