Verfahren zur Funktionalisierung und Passivierung der Oberfläche von Silizium-Wafern durch elektrochemisches Abscheiden dünner organischer Schichten,申请号DE20011030801-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zur Funktionalisierung und Passivierung der Oberfläche von Silizium-Wafern durch elektrochemisches Abscheiden dünner organischer Schichten
摘要
申请公布号	DE10130801(C2)	申请公布日期	2003.10.30
申请号	DE20011030801	申请日期	2001.06.22
申请人	HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH	发明人	HARTIG, PROSPER;DITTRICH, THOMAS;RAPPICH, JOERG
分类号	C25D9/02;H01L21/312;H01L23/29;(IPC1-7):H01L21/312	主分类号	C25D9/02
代理机构		代理人
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