| 摘要 |
<p>Ein Halbleiterbauelement weist eine auf einem Halbleitersubstrat ausgebildete Isolationsschicht auf, in der eine Kapazitätsstruktur (K) ausgebildet ist. Die Kapazitätsstruktur (K) weist zumindest zwei parallel zueinander angeordnete Metallisierungsebenen (1, 2, 3, 6, 8) auf, wobei zumindest eine der Metallisierungsebenen (1, 2, 3, 6, 8) gitterförmig ausgebildet ist und sich elektrisch leitende, inhomogene Strukturen (1a bis 1l; 10a, 10b), die mit der ersten Metallisierungsebene (1, 2, 3, 6, 8) elektrisch verbunden sind, zumindest teilweise in die Aussparungen der gitterförmigen Metallisierungsebene (1, 2, 3, 6, 8) erstrecken.</p> |
