| 发明名称 |
Halbleiterspeichervorrichtung mit einer auf einer Oberfläche von Dotierstoffdiffusionszonen gebildeten Silizidschicht und deren Herstellungsverfahren |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10104082(C2) |
申请公布日期 |
2003.10.30 |
| 申请号 |
DE20011004082 |
申请日期 |
2001.01.29 |
| 申请人 |
FUJITSU LTD., KAWASAKI |
发明人 |
HASHIMOTO, HIROSHI;TAKAHASHI, KOJI |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L27/10;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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