| 发明名称 | 晶体管和半导体电路 | ||
| 摘要 | 形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触，或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜，使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT，从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1126179C | 申请公布日期 | 2003.10.29 |
| 申请号 | CN94102725.2 | 申请日期 | 1994.03.12 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 张宏勇;鱼地秀贵;高山彻;竹村保彦;山本睦夫 |
| 分类号 | H01L29/02;H01L27/00;H01L21/02;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴增勇;肖掬昌 |
| 主权项 | 1.一种晶体管，包括：一有源区，由设在衬底上的结晶硅膜组成；和一杂质区，毗邻所述有源区形成；其特征在于，所述有源区含浓度在1×1017/立方厘米至1×1020/立方厘米范围的用于促进结晶的催化元素，所述催化元素在所述杂质区的浓度高于所述有源区中所述催化元素的浓度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||