发明名称 在制造半导体器件过程中清洗半导体晶片的波形花纹结构的方法
摘要 本发明公开一种清洗半导体晶片的波形花纹结构的方法,其包括用纯水处理已被抛光的晶片的步骤;和随后不用纯水处理晶片的步骤。
申请公布号 CN1452219A 申请公布日期 2003.10.29
申请号 CN03122575.6 申请日期 2003.04.21
申请人 恩益禧电子股份有限公司 发明人 久保亨
分类号 H01L21/302;B08B3/00 主分类号 H01L21/302
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 丁业平;王维玉
主权项 1.一种清洗半导体晶片的波形花纹结构的方法,其包括:用纯水处理已被抛光的晶片的步骤;和随后不用纯水处理晶片的步骤。
地址 日本神奈川