| 发明名称 | 带有焊料层的半导体片 | ||
| 摘要 | 一带有扩散势垒层(4)的硅半导体片(1)备有一焊料层，优选备有一锡层并且被放置在一金属基片(2)上并且通过加热到约250℃以上直接，即不需要其它的添加剂与基片焊接在一起。 | ||
| 申请公布号 | CN1126171C | 申请公布日期 | 2003.10.29 |
| 申请号 | CN97104969.6 | 申请日期 | 1997.02.19 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | Ｍ·施内冈斯;Ｈ·许布纳 |
| 分类号 | H01L23/48 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东;傅康 |
| 主权项 | 1、由硅构成的半导体片(1)，该半导体片通过一组金属层与金属基片(2)焊接在一起，该金属层组焊接前从硅半导体片开始朝基片方向依次包括一铝层(3)和一扩散层阻挡层(4)，其特征在于：在扩散阻挡层上附着有一层焊料层(5)，所述焊料层(5)是一层锡、铅或镓。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||