| 发明名称 | 金属绝缘体金属或金属绝缘体半导体电子源的结构和制造方法 | ||
| 摘要 | 一种MIM/MIS电子源包括第一导电层101，形成在第一导电层101上的绝缘层103，和形成在绝缘层103上的第二导电层104， 在第一和第二导电层101、104之间施加电压，使得在绝缘层103中产生沟道电流，其中绝缘层103的膜厚度和第二导电层104的膜厚度是均匀的。 | ||
| 申请公布号 | CN1126136C | 申请公布日期 | 2003.10.29 |
| 申请号 | CN98122473.3 | 申请日期 | 1998.11.10 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 伊马贵弘 |
| 分类号 | H01J1/312;H01J9/02 | 主分类号 | H01J1/312 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈景峻;李亚非 |
| 主权项 | 1.一种MIM或MIS电子源，包括：第一导电层，形成多个台阶；形成在所述第一导电层的所述多个台阶之间某个区域中的第一绝缘层；形成在所述第一导电层的所述台阶和所述第一绝缘层的上表面上的第二绝缘层；和形成在所述第二绝缘层上的第二导电层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||