| 发明名称 | 带有低介电常数区的半导体器件制作方法 | ||
| 摘要 | 一种制作含有低介电常数区(24)的半导体器件(10)的方法包括：在沟槽(20)表面上制作第一层(30/42)；通过第一层中小于沟槽宽度(W2)的开口(70)进行腐蚀来从沟槽中除去第一种材料(38)。淀积第二种材料(44)堵住开口来封闭沟槽中的空气囊(40)。低介电常数区的特征在于空气囊具有大体积，因为开口尺寸小可使第二种材料堵住沟槽而没有大量积累在沟槽中。 | ||
| 申请公布号 | CN1452236A | 申请公布日期 | 2003.10.29 |
| 申请号 | CN03123113.6 | 申请日期 | 2003.04.17 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 蔡卫中;素达玛·澈·夏司曲;吴玉静;凯思·G·卡迈康纳 |
| 分类号 | H01L21/822 | 主分类号 | H01L21/822 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制作半导体器件(10)的方法，其特征在于以下步骤：在半导体衬底(12)中的沟槽(20)表面上制作第一层(30/42)；经第一层中小于沟槽宽度(W2)的开口(70)进行腐蚀来从沟槽除去第一种材料(38)；以及淀积第二种材料(44)堵住开口而使沟槽中的空气囊(40)封闭。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||