发明名称 半导体存储器延迟电路
摘要 一种电路,包括:输入端,用于接收输入信号;延迟链,连接到输入端,用于延迟输入信号;以及电路结构,连接到输入端下游的延迟链,用于响应输入信号将电压提供给延迟链。
申请公布号 CN1452176A 申请公布日期 2003.10.29
申请号 CN03110370.7 申请日期 2003.04.10
申请人 三星电子株式会社 发明人 赵志虎;李升根
分类号 G11C11/34;G11C11/4076 主分类号 G11C11/34
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 王志森;黄小临
主权项 1.一种电路,包括:输入端,用于接收输入信号;延迟链,连接到输入端,用于延迟输入信号;以及电路结构,连接到输入端下游的延迟链,用于响应输入信号将电压提供给延迟链。
地址 韩国京畿道