| 发明名称 | 磁阻效应器件以及使用这种器件的器件 | ||
| 摘要 | 本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。 | ||
| 申请公布号 | CN1126127C | 申请公布日期 | 2003.10.29 |
| 申请号 | CN95106521.1 | 申请日期 | 1995.05.02 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 榊间博;入江庸介;里见三男;川分康博 |
| 分类号 | H01F10/12;G11B5/31;G11C11/15 | 主分类号 | H01F10/12 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴大建 |
| 主权项 | 1.一种磁阻效应器件，包括：基片；以及在基片上形成的多层结构，它包括含有至少一种CoPt、CoTaCr和CoPtCr的硬磁膜、软磁膜以及用来隔开硬磁膜和软磁膜的非磁膜，其中硬磁膜的易磁化轴线的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。 | ||
| 地址 | 日本大阪府门真市 | ||