静态随机存取存储器光电管结构及其制造方法

摘要

一种静态随机存取存储器SRAM光电管结构，其中的每个存储单元至少包括六个晶体管，其中四个晶体管构成一个触发器，各布置在一个四边形的角上，这个触发器由两个晶体管控制，它们相邻地安置在这个四边形的对角线上，并且安置在这个四边形之外。沿着一个与存储单元相邻布置的字线可以这样安排，使相邻的存储单元的第一位线和第二位线重合。这些晶体管最好是垂直的，并且安置在由一个层纪生成的半导体结构(ST1，ST2，ST3，ST4，ST5，ST6)上，两个带有N掺杂的沟道区的晶体管最好各自形成在两个半导体结构(ST3，ST4)上。

主权项

1、一种静态随机存取存储器SRAM光电管结构，包括：——存储单元，每个存储单元至少具有一个第一晶体管，一个第二晶体管，一个第三晶体管，一个第四晶体管，一个第五晶体管和一个第六晶体管，——其中第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管构成一个触发器电路，这个触发器电路由第五晶体管和第六晶体管控制，并且连接在一个第一电压连接端和一个第二电压连接端之间，——其中第三晶体管和第四晶体管与第一晶体管和第二晶体管互补，——其中第五晶体管和第六晶体管通过一个字线(W)控制操作，——其中第五晶体管的第二源/漏区与第一位线(B1)相连接，——其中第六晶体管的第二源/漏区与第二位线(B2)相连接，——其中第一位线(B1)和第二位线(B2)沿着字线(W)的横向敷设，——其中第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管安置在一个四边形的各个角上，第一晶体管所在角和第四晶体管所在角呈对角线布置，——其中第三晶体管安置在第一和第五晶体管之间，——其中第二晶体管安置在第四和第六晶体管之间。