| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种能精确地控制杂质的分布的半导体装置及半导体装置的制造方法。该制造方法包括：将杂质元素的离子注入半导体区域(1)的工序；作为预定元素将IV族的元素或与杂质元素的导电类型相同、质量数比杂质元素大的元素的离子注入半导体区域的工序；以及将在600nm以下的区域中具有发光强度分布的最大点的光照射在注入了杂质元素及预定元素的区域(5、6)中，进行退火的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1452223A | 申请公布日期 | 2003.10.29 |
| 申请号 | CN03122509.8 | 申请日期 | 2003.04.16 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 伊藤貴之;饭沼俊彦;須黑恭一 |
| 分类号 | H01L21/324;H01L21/265;H01L21/24 | 主分类号 | H01L21/324 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：将杂质元素的离子注入半导体区域的工序；作为预定元素将与IV族的元素或与上述杂质元素的导电类型相同、质量数比上述杂质元素大的元素的离子注入上述半导体区域的工序；以及将在600nm以下的区域中具有发光强度分布的最大点的光照射在注入了上述杂质元素及上述预定元素的区域中，进行退火的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||