| 发明名称 |
Aluminum implantation method |
| 摘要 |
A method of aluminum ion generation for an implantation in a semiconductor wafer, including using nitrogen trifluoride as a gas for ionizing a solid alumina element.
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| 申请公布号 |
US6639229(B2) |
申请公布日期 |
2003.10.28 |
| 申请号 |
US20000745174 |
申请日期 |
2000.12.20 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS, S.A. |
发明人 |
CHAKOR HAMOU |
| 分类号 |
H01J27/22;H01L21/265;(IPC1-7):H01J37/317 |
主分类号 |
H01J27/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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