首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 A METHOD FOR MAKING LOW-LEAKAGE DRAM STRUCTURES USING SELECTIVE SILICON EPITAXIAL GROWTH (SEG) ON AN INSULATING LAYER
摘要
申请公布号 SG99375(A1) 申请公布日期 2003.10.27
申请号 SG20010005924 申请日期 2001.09.27
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD 发明人 TEE, KHENG CHOK;RANDALL CHER LIANG, CHA;LAP CHAN
分类号 H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L 主分类号 H01L21/8242
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com