Verfahren zur Herstellung einer Referenzschicht und mit einer derartigen Referenzschicht versehene MRAM-Speicherzelle

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Referenzschicht für MRAM-Speicherzellen und eine mit einer derartigen Referenzschicht ausgestattete MRAM-Speicherzelle. Eine derartige Referenzschicht besteht aus zwei magnetisch gekoppelten Schichten mit unterschiedlicher Curietemperatur. Beim Abkühlen von einer Temperatur oberhalb der Curietemperatur T¶c¶·1· der ersten Schicht (10) in einem äußeren Magnetfeld richtet sich die Magnetisierung der zweiten Schicht (11) durch einen Phasenübergang zweiter Ordnung entlang der Feldrichtung des äußeren Magnetfeldes aus. Bei weiterem Abkühlen unterhalb der Curietemperatur T¶c¶·2· der zweiten Schicht (11) richtet sich diese durch die antiferromagnetische Kopplung zwischen beiden Schichten antiparallel zur ersten Schicht (10) aus.