| 摘要 |
Eine integrierte Schaltung umfasst eine ESD-Schutzschaltung mit einer Induktivität, die zwischen einem Eingangsanschluss und einem Masseanschluss, an denen ein RF-Signal angelegt wird, angeschlossen ist. Die Induktivität ist so gestaltet, um eine ausreichende Stromführungskapazität bereitzustellen, die für typische ESD-Ereignisse erforderlich ist. Ferner ist der Induktivitätswert der Induktivität so gewählt, um in Verbindung mit einer vorhandenen parasitären Kapazität einen Schwingkreis mit einer Resonanzfrequenz zu bilden, die an das RF-Signal angepasst ist. Daher ist die Betriebsfrequenz der integrierten Schaltung nicht durch die ESD-Schutzschaltung beschränkt. In einer weiteren Ausführungsform wird ein Ausgangsanschluss gegen ESD geschützt mittels einer Induktivität, die an eine Hilfsspannung angeschlossen ist, die dazu dient, um einen Ausgangstransistor vorzuspannen. Ferner sind Klemmelemente, etwa Dioden, zwischen der Hilfsspannung und der Versorgungsspannung und zwischen der Hilfsspannung und dem Massepotenzial vorgesehen.
|
