| 摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleitersubstrat, einer über dem Halbleitersubstrat ausgebildeten ersten unteren Zwischenverbindung (52a) und einer intermetallischen dielektrischen Schicht (56), die über dem Halbleitersubstrat mit der ersten unteren Zwischenverbindung ausgebildet ist, sowie auf ein zugehöriges Herstellungsverfahren. DOLLAR A Erfindungsgemäß beinhaltet das Halbleiterbauelement eine Mehrzahl von Öffnungen, welche die erste untere Zwischenverbindung durch die intermetallische dielektrische Schicht hindurch freilegen, eine untere Elektrode (62), die konform auf der Innenwand der Öffnungen, auf der freiliegenden Oberfläche der ersten unteren Zwischenverbindung und auf der intermetallischen dielektrischen Schicht zwischen den Öffnungen ausgebildet ist, eine dielektrische Schicht (64) und eine obere Elektrode (66), die sequentiell auf der unteren Elektrode gestapelt sind, und eine erste obere Zwischenverbindung (70a), die auf der oberen Elektrode angeordnet ist, wobei die erste obere Zwischenverbindung mit der oberen Elektrode elektrisch verbunden ist. DOLLAR A Verwendung für Halbleiterbauelemente mit MIM-Kondensatoren.</p> |
