| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Methode zur Mikrostrukturierung elektronischer Bauteile zu entwickeln, die hohe Auflösungen (≤200 nm) bei gutem Aspektverhältnis liefert, aber deutlich kostengünstiger ist als photolithographische Verfahren. Das erfindungsgemässe Verfahren umfasst die Schritte: i) Herstellung eines planaren ungehärteten Solfilms einer Nanokomposit-Zusammensetzung nach Anspruch 1; ii) Herstellung eines Zielsubstrats, bestehend aus einem Bottomcoat (b) und einem Support (c); iii) Übertragung von Solfilm-Material aus (i) mittels eines mikrostrukturierten Transferprägestempels auf den Bottomcoat (b) in (ii); iv) Härtung des übertragenen Solfilm-Materials; v) Abtrennung des Transferprägestempels unter Erhalt einer geprägten Mikrostruktur als Topcoat (a). Die Herstellung eines mikrostrukturierten Halbleitermaterials umfasst zusätzlich die Schritte: vi) Plasmaätzung der Restschicht des Nanokomposit-Solfilms, vorzugsweise mit CHF3/O2-Plasma, v) Plasmaätzung des Bottomcoat, vorzugsweise mit O2-Plasma, vi)Ätzung des Halbleitermaterials oder Dotierung des Halbleitermaterials an den geätzten Stellen.</p> |
