发明名称 | 定义低介电常数介电层的方法 | ||
摘要 | 一种定义低介电常数介电层的方法。直接暴露在高能量流下来定义低介电常数介电层,而不需要使用任何的光阻层,借以使低介电常数介电层曝光的部分固化,而变的不溶于显影溶液中,低介电常数介电层未曝光的部分则会溶解在显影溶液中,并将会在显影步骤中被移除,组件的效能与可靠度均可因此得到改善,且可以简化工艺步骤。 | ||
申请公布号 | CN1450597A | 申请公布日期 | 2003.10.22 |
申请号 | CN02126321.3 | 申请日期 | 2002.07.19 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 张鼎张;刘柏村;许钲宗 |
分类号 | H01L21/027;G03F7/00 | 主分类号 | H01L21/027 |
代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
主权项 | 1.一种定义低介电常数介电层的方法,其特征是,该方法包括下列步骤:提供一基底;用旋涂的方式形成一低介电常数介电层于该基底上;提供具有一图案的一光罩;直接在该低介电常数介电层上使用一高能量流,以选择性的固化该低介电常数介电层而不需要使用一光阻层,其中该光罩是被使用来将该图案转换到该低介电常数介电层上的;通过使用一显影液来进行一显影步骤,其中该低介电常数介电层的一部分会被暴露在高能量流下并被固化,因此不溶于该显影液中,而该低介电常数介电层未曝光的部分则会溶解在该显影液中;以及在显影步骤以后,进行一道烘烤步骤以减少水气的吸收。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号 |