发明名称 |
消除微影制程中线末端变短效应的方法及其所使用的罩幕组 |
摘要 |
本发明提供一种消除微影制程中线末端变短效应的方法,其步骤为:(1)曝光此感光层于第一罩幕下,其中将感光层所欲形成的图案上的每一条线或开口的末端往外延伸一第一延长部分所形成的图案,即为第一罩幕的图案;(2)曝光此感光层于第二罩幕下,其中第二罩幕的图案包含至少一开口,且当第一、第二罩幕重叠时,第一罩幕上的任一个第一延长部分以及此第一延长部分往外延伸的一第二延长部分刚好与第二罩幕的图案上的一个开口重叠,而第二罩幕的图案上的所有开口刚好只将第一罩幕上的所有第一延长部分以及第二延长部分覆盖住。所述第一延长部分以及第二延长部分的长度大于或等于感光层上的欲形成图案上的线或开口的末端因为光学近接效应所缩短的量。 |
申请公布号 |
CN1450409A |
申请公布日期 |
2003.10.22 |
申请号 |
CN02106272.2 |
申请日期 |
2002.04.08 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
林本坚;刘如淦;陈世颖;游信胜;林华泰;严涛南;辜耀进 |
分类号 |
G03F7/20 |
主分类号 |
G03F7/20 |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
1.一种消除微影制程中线末端变短效应的方法,该方法至少包括下列步骤:曝光该感光层于一第一罩幕下,其中将该感光层所欲形成的图案上的每一条线或开口的末端往外延伸一第一延长部分所形成的图案,即为该第一罩幕的图案,而该第一延长部分的长度大于或等于该感光层上的该欲形成图案上的线或开口的末端因为光学近接效应所缩短的量;及曝光该感光层于一第二罩幕下,其中该第二罩幕的图案包含至少一开口,且当该第二罩幕与该第一罩幕重叠时,该第一罩幕上的任一个该第一延长部分以及该第一延长部分往外延伸的一第二延长部分刚好与该第二罩幕的图案上的一个该开口重叠,而该第二罩幕的图案上的所有该开口刚好只将该第一罩幕上的所有该第一延长部分以及该第二延长部分覆盖住,其中该第二延长部分的长度大于或等于该感光层上的该欲形成图案上的线或开口的末端因为光学近接效应所缩短的量。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |