金属有机化合物汽相沉积装置

摘要

本发明的金属有机化合物汽相沉积装置包括用闸板阀连通的生长室和进样室，生长室中有旋转的水平样品盘，其特征是在生长室的顶部设置垂直于样品盘的副气路管道，生长室的侧壁设置水平主气路管道，在副气路管道的出气口连接一锥形石英罩。工作时，主气路管道通入反应气体，副气路管道通入氢气与氮气(非反应气体)，而连接在副气路管道出气口的锥形石英罩可以约束与控制副气路的气体，使水平方向的反应气体均匀地压向样品表面，保证反应气体在衬底表面充分反应。采用本发明装置可以使生长室内的反应气体达到较好的层流状态，生长出厚度均匀、具有优良表面形貌的半导体薄膜样品。

主权项

1.金属有机化合物汽相沉积装置，包括用闸板阀(1)连通的生长室(A)和进样室(B)，生长室(A)中有旋转的水平样品盘(4)，其特征是在生长室的顶部设置垂直于样品盘的副气路管道(5)，生长室的侧壁设置水平主气路管道(3)，在副气路管道(5)的出气口连接一锥形石英罩(6)。