发明名称 快闪存储器参考单元电流位阶的调整电路及方法
摘要 一种快闪存储器参考单元电流位阶的调整电路及方法,该快闪存储器含有一感测放大器以比较一快闪存储单元的单元电流与该参考单元的参考电流而产生一感测信号,该存储单元具有一闸极以接收一字元线信号电压,该参考单元具有一闸极以接收一工作点偏压,该调整电路及方法使用一分压电路从该字元线信号电压分压以产生该工作点偏压,该分压电路包括至少一快闪单元作为变阻器,一程序化/抹除电路连接该快闪存储单元及变阻器单元,以相关于该存储单元决定该变阻器单元的电阻值。以本发明的电路及方法,可以简化电路及缩减晶片面积,并且可以达到精准的GCR控制,具有精准地调整参考单元电流位阶的功效。
申请公布号 CN1450562A 申请公布日期 2003.10.22
申请号 CN02106284.6 申请日期 2002.04.08
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 叶致锴;范左鸿;卢道政
分类号 G11C16/06;G11C7/00 主分类号 G11C16/06
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 李强
主权项 1.一种快闪存储器参考单元电流位阶的调整电路,该快闪存储器含有一感测放大器以比较一快闪存储单元的单元电流与该参考单元的参考电流而产生一感测信号,该存储单元具有一闸极以接收一字元线信号电压,该参考单元具有一闸极以接收一工作点偏压,其特征在于:该调整电路包括:串联的第一及第二单元,使从该字元线信号电压分压而产生该工作点偏压,其中该第一及第二单元至少有一包含一快闪单元变阻器提供一电阻值;以及一程序化电路,连接该存储单元及快闪单元,以程序化该快闪单元变阻器而决定该电阻值。
地址 台湾省新竹科学工业园区