薄膜晶体管

摘要

本发明提供一种可抑制特性参差的薄膜晶体管。其具有：隔着SiO₂膜所构成的基底绝缘膜3而设在玻璃基板2上的Si所形成的半导体层4；设在半导体层4中两侧的源极领域8与汲极领域9；在半导体层4中的源极领域8与汲极领域9之间的信道领域10；隔着SiO₂膜所构成的闸极绝缘膜6而设在信道领域10上的闸极电极7，其特征为：至少由闸极电极7所覆盖的信道领域10的信道宽度方向WD的端部5的斜面角在大约60度以上。

主权项

1.一种薄膜晶体管，具有：设在基板上的半导体层；设在所述半导体层中两侧的源极领域与汲极领域； 在所述半导体层中的所述源极领域与所述汲极领域之间的信道领域；以及隔着闸极绝缘膜而设在所述信道领域上的闸极电极，其特征在于，至少由所述闸极电极所覆盖的所述信道领域的信道宽度方向的端部的斜面角在大约60度以上。