| 发明名称 | 利用二倍空间频率技术定义掩膜图案的方法及其装置 | ||
| 摘要 | 一种生成在一衬底上刻印目标图案时使用的掩膜的方法。该方法包括以下步骤：(a)确定将要刻印在一衬底上表示一电路设计的一目标图案；(b)所述目标图案按照系数为0.5缩小，以生成第一图案；以及(c)执行布尔操作，结合目标图案与所述第一图案，生成第二图案。第二图案作为目标图案被刻印于衬底上。 | ||
| 申请公布号 | CN1450406A | 申请公布日期 | 2003.10.22 |
| 申请号 | CN03130766.3 | 申请日期 | 2003.03.25 |
| 申请人 | ASML蒙片工具有限公司 | 发明人 | D·范登布雷克;J·F·陈 |
| 分类号 | G03F1/00;G03F7/00;H01L21/027 | 主分类号 | G03F1/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 1、一种用于生成用于成像系统的一掩膜的方法，所述方法包括以下步骤：(a)确定将要印制在一衬底上表示一电路设计的一目标图案；(b)通过使用小于1的系数缩所述小目标图案来生成一第一图案；以及(c)通过执行结合所述目标图案与所述第一图案的布尔操作来生成第二图案。 | ||
| 地址 | 荷兰维尔德霍芬 | ||