动态随机存取存储器电容器存储电极的制造方法

摘要

一种DRAM电容器存储电极的制造方法，包括在节点接触窗开口中填入第二多晶硅层；形成已图案化的第三绝缘层，其具有暴露欲形成存储电极的区域；形成共形的第三多晶硅层；形成共形的第四绝缘层和第四多晶硅层；以绝缘间隙壁为掩模，去除部分第四绝缘层和第四多晶硅层；形成第五多晶硅层并构图。本发明利用镶嵌的方法来形成存储电极，可以避免存储单元区和逻辑电路区之间的高度差，因此不需平坦化的步骤即可进行后续的制作工艺，可降低制作工艺的风险，还有，在不影响布局的情况下，利用绝缘间隙壁来将多晶硅层图案化，以形成岛状双冠状电容器，因此可以有效增加电容器的电容量。

主权项

1.一种DRAM电容器存储电极的制造方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底上已形成有一场效晶体管，该场效晶体管有二源极/漏极区；形成一第一绝缘层，覆盖该场效晶体管；在该第一绝缘层上形成一第一多晶硅层；对该第一多晶硅层构图且剥除部分该第一绝缘层，形成一凹陷区，其对应于该各源极/漏极区；在该凹陷区的该第一多晶硅层和该第一绝缘层的侧壁形成一多晶硅间隙壁；以该第一多晶硅层和该多晶硅间隙壁为掩模，将该第一绝缘层图案化，用以形成一位线接触窗开口和一节点接触窗开口，以分别暴露出该各源极/漏极区的表面；其特征在于，所述方法还包括以下步骤：在该第一多晶硅上，形成一第二多晶硅层，且填满该位线接触窗开口和该节点接触窗开口；在该第二多晶硅层上形成一硅化金属层；在该硅化金属层上形成一第二绝缘层；限定该第二绝缘层、该硅化金属层、该第二多晶硅层、该第一多晶硅层和该多晶硅间隙壁，直到暴露出该第一绝缘层，用以于该各源极/漏极区形成一位线；在该位线的该第二绝缘层、该硅化金属层和该第二多晶硅层的侧壁形成一第一绝缘间隙壁；形成已图案化的一第三绝缘层覆盖该位线，该第三绝缘层有一开口暴露出要形成该电容器存储电极的区域，且该第三绝缘层的厚度为该存储电极的高度；在该第三绝缘层上形成一第三多晶硅层，该第三多晶硅层与该第三绝缘层共形，该第三多晶硅层与该节点接触窗开口的该第二多晶硅层接触；在该第三多晶硅层上形成一第四绝缘层，该第四绝缘层与该第三多晶硅层共形；在该第四绝缘层上形成一第四多晶硅层，该第四多晶硅层与该第四绝缘层共形；形成一第二绝缘间隙壁，在该开口侧壁的该第四多晶硅层上；以该第二绝缘间隙壁为掩模，剥除部分该第四多晶硅层和部分该第四绝缘层，直到暴露出部分该第三多晶硅层；形成一第五多晶硅层填满该开口，且与该第四多晶硅层和该第三多晶硅层接触；剥除部分该第五多晶硅层、部分该第四多晶硅层和部分该第三多晶硅层，直到暴露出该第三绝缘层；以及剥除该第三绝缘层、该第四绝缘层和该第二绝缘间隙壁，以完成该电容器的存储电极。