可确保焊块底部金属化结构层之焊结力的覆晶焊块制程

摘要

一种可确保焊块底部金属化结构层之焊结力的覆晶焊块制程，其可用以形成焊块于半导体晶片上的焊块底部金属化结构层上，并可于此制程中防止焊块底部金属化结构层产生氧化现象及受到污染，藉此而确保制成之焊块与焊块底部金属化结构层之间具有强固的焊结力而提升晶片封装的品质可靠性。此覆晶焊块制程的特点在未形成焊块前，先形成一介电层于焊块底部金属化结构层上、且该介电层的材质例如为苯环丁烯(Benzo-Cyclo-Butene，BCB)或聚亚醯胺(Polyimide)，用以保护焊块底部金属化结构层不会产生氧化现象及受到污染；并于形成焊块前采用电浆蚀刻方法来移除此介电层。由于电浆蚀刻程序不需采用化学溶剂，因此具有较佳的环保性。

主权项

1.一种覆晶焊块制程,其可应用于一半导体晶片、且该半导体晶片上形成有复数个焊垫、而该些焊垫上则已覆盖有一焊块底部金属化结构层,用以形成焊块于该些焊垫上方的焊块底部金属化结构层上;此覆晶焊块制程至少包含:(1)形成一介电层于该焊块底部金属化结构层上;(2)形成一光阻层于该介电层上;其中该光阻层形成有复数个窗口,分别用以曝露出该介电层中位于各个焊垫上方的部分;(3)将该介电层中未被该光阻层所罩盖的部分移除;(4)于该光阻层中的各个窗口中分别形成一焊块;(5)将该光阻层全部移除,并接着将该介电层的剩余部分亦全部移除;以及(6)将该焊块底部金属化结构层中位于该焊块以外的部分移除。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶焊块制程,其中步骤(1)中所述之介电层的材质为苯环丁烯(Benzo-Cyclo-Butene,BCB)。3.如申请专利范围第1项所述之覆晶焊块制程,其中步骤(1)中所述之介电层的材质为聚亚醯胺(Polyimide)。4.如申请专利范围第1项所述之覆晶焊块制程,其中步骤(3)系采用电浆蚀刻技术来移除该介电层中未被该光阻层所罩盖的部分。5.如申请专利范围第1项所述之覆晶焊块制程,其中步骤(4)系采用电镀程序来于该光阻层中的各个窗口中形成焊块。6.如申请专利范围第1项所述之覆晶焊块制程,其中步骤(5)系采用电浆蚀刻技术来移除该介电层的剩余部分。7.一种覆晶焊块制程,其可应用于一半导体晶片、且该半导体晶片上形成有复数个焊垫、而该些焊垫上则已覆盖有一焊块底部金属化结构层,用以形成焊块于该些焊垫上方的焊块底部金属化结构层上;此覆晶焊块制程至少包含:(1)形成一介电层于该焊块底部金属化结构层上;(2)形成一光阻层于该介电层上;其中该光阻层形成有复数个窗口,分别用以曝露出该介电层中位于各个焊垫上方的部分;(3)进行一电浆蚀刻程序,藉以将该介电层中未被该光阻层所罩盖的部分移除;(4)于该光阻层中的各个窗口中分别形成一焊块;(5)将该光阻层全部移除;并接着进行一电浆蚀刻程序,藉以将该介电层的剩余部分亦全部移除;以及(6)将该焊块底部金属化结构层中位于该焊块以外的部分移除。8.如申请专利范围第7项所述之覆晶焊块制程,其中步骤(1)中所述之介电层的材质为苯环丁烯(Benzo-Cyclo-Butene,BCB)。9.如申请专利范围第7项所述之覆晶焊块制程,其中步骤(1)中所述之介电层的材质为聚亚醯胺(Polyimide)。10.如申请专利范围第7项所述之覆晶焊块制程,其中步骤(4)系采用电镀程序来于该光阻层中的各个窗口中形成焊块。11.一种覆晶焊块制程,其可应用于一半导体晶片、且该半导体晶片上形成有复数个焊垫、而该些焊垫上则已覆盖有一焊块底部金属化结构层,用以形成焊块于该些焊垫上方的焊块底部金属化结构层上;此覆晶焊块制程至少包含:(1)形成一介电层于该焊块底部金属化结构层上;(2)形成一光阻层于该介电层上;其中该光阻层形成有复数个窗口,分别用以曝露出该介电层中位于各个焊垫上方的部分;(3)进行一电浆蚀刻程序,藉以将该介电层中未被该光阻层所罩盖的部分移除;(4)进行一电镀程序,藉此而于该光阻层中的各个窗口中分别形成一焊块;(5)将该光阻层全部移除;并接着进行一电浆蚀刻程序,藉以将该介电层的剩余部分亦全部移除;以及(6)将该焊块底部金属化结构层中位于该焊块以外的部分移除。12.如申请专利范围第11项所述之覆晶焊块制程,其中步骤(1)中所述之介电层的材质为苯环丁烯(Benzo-Cyclo-Butene,BCB)。13.如申请专利范围第11项所述之覆晶焊块制程,其中步骤(1)中所述之介电层的材质为聚亚醯胺(Polyimide)。图式简单说明:第1图为一剖面结构示意图,其中显示一已完成UBM制程的半导体晶片的剖面结构形态;第2A至2F图为剖面结构示意图,其分别用以显示本发明之覆晶焊块制程中的各个程序步骤。