导电元件之焊接方法

摘要

一种导电元件之焊接方法，先备一载有半导体晶片之基板，于该基板表面未影响上片及焊线之区域上预先定义出至少一电源件接置区及接地件接置区，且该晶片上亦配置有至少一与该电源间接置区相对应之电源区，以及与该接地件接置区相对应之接地区；而后，将复数个金属焊块植设至该晶片之电源区与接地区，以及该基板之电源件接置区与接地件接置区上；再于复数个导电元件(如电源件及接地件)对应至该电源区、接地区、电源件接置区及接地件接置区之部位上敷设至少一金属层(如锡铅合金之金属预镀层)；最后，藉热压合或回焊方式使该金属层与金属焊块接合而形成一共金接合部(Intermetallic Compound)，以供各导电元件电性焊结于晶片及基板上。由于导电元件与晶片/基板间形成之共金接合部具有甚小之电性阻抗值，遂能避免电性衰弱产生，藉共金接合取代导电胶黏着更可有效减少脱层发生，进而使导电元件与晶片或基板间具有更佳之焊接信赖性。

主权项

1.一种导电元件之焊接方法,系包括以下步骤:先备一晶片承载件,于其一表面上预先定义出一晶片接置区,且该表面于晶片接置区外之区域另形成有一电源件接置区及一接地件接置区;将一晶片接置于该晶片承载件之晶片接置区上,该晶片上形成有一对应至该电源件接置区之电源区及一对应至该接地件接置区之接地区;植设复数个金属焊块至该晶片之电源区与接地区以及该晶片承载件之电源件接置区与接地件接置区;制备一电源件及一接地件,并分别于该电源件及接地件之两端敷设一金属层;以及将该电源件及接地件接合至该晶片与晶片承载件上,以使该电源件两端上之金属层分别与该电源区及电源件接置区焊接,并使该接地件两端上之金属层分别与该接地区及接地件接置区上之金属焊块焊接,俾以形成共金接合部,而令该电源件及接地件得藉该共金接合部而电性焊结至该晶片与晶片承载件。2.如申请专利范围第1项之导电元件焊接方法,其中,该晶片承载件系一基板。3.如申请专利范围第1项之导电元件焊接方法,其中,该晶片承载件系一导线架。4.如申请专利范围第1项之导电元件焊接方法,其中,该晶片形成有电源区及接地区之表面上布设有多数电源焊垫及接地焊垫,该电源焊垫及接地焊垫分别以重配(Re-distribution)方式而电性整合至该电源区及接地区。5.如申请专利范围第1项之导电元件焊接方法,其中,该金属焊块系金质焊块。6.如申请专利范围第5项之导电元件焊接方法,其中,该金质焊块具有一向上凸起之突出端(Stud)。7.如申请专利范围第5项之导电元件焊接方法,其中,该金质焊块系藉一打线机(Wire Bonder)点焊压接至该晶片之电源区与接地区以及该晶片承载件之电源件接置区与接地件接置区。8.如申请专利范围第1项之导电元件焊接方法,其中,该金属焊块系焊锡凸块。9.如申请专利范围第1项之导电元件焊接方法,其中,该电源件系具有一支撑部、一平坦部及一延伸部,使该支撑部上敷设一金属层而焊接至该晶片之电源区,俾令该平坦部得藉该支撑部之支持而架撑于该晶片上方,并使该延伸部上敷设一金属层而焊接至该晶片承载件之电源件接置区。10.如申请专利范围第9项之导电元件焊接方法,其中,该电源件之支撑部及延伸部分别形成有一凸部,以令该金属层敷设至该凸部上。11.如申请专利范围第1项之导电元件焊接方法,其中,该接地件系具有一支撑部、一平坦部及一延伸部,使该支撑部上敷设一金属层而焊接至该晶片之接地区,俾令该平坦部得藉该支撑部之支持而架撑于该晶片上方,并使该延伸部上敷设一金属层而焊接至该晶片承载件之接地件接置区。12.如申请专利范围第11项之导电元件焊接方法,其中,该接地件之支撑部及延伸部分别形成有一凸部,以令该金属层敷设至该凸部上。13.如申请专利范围第1项之导电元件焊接方法,其中,该金属层系一锡铅合金层。14.如申请专利范围第1项之导电元件焊接方法,其中,该金属层系一锡层。15.如申请专利范围第1项之导电元件焊接方法,其中,该金属层系以热压合方式与该金属焊块焊接。16.如申请专利范围第1项之导电元件焊接方法,其中,该金属层系以回焊方式与该金属焊块焊接。图式简单说明:第1图系本发明导电元件焊接方法之第一实施例之整体制作步骤流程图;第2A至2E图系本发明导电元件焊接方法第一实施例之详细制程示意图;第3A至3D图系本发明导电元件焊接方法第二实施例之详细制程示意图;第4图系美国专利第5,545,923号半导体封装件之上视示意图;第5图系美国专利第5,545,923号半导体封装件之剖面示意图;以及第6图系习知之半导体封装件之剖面示意图。