| 主权项 |
1.一种形成半导体结构之方法,该方法之特征为:于低功率反应性离子蚀刻基板,该基板之特征为具有:(a)一晶圆(4);(b)一位于晶圆上的第一氧化物层(2);以及(c)一位于第一氧化物层上之经显像后之光阻层(8);以及蚀刻第一氧化物层;其中该反应性离子蚀刻系使用射频偏压进行3至25秒时间。2.如申请专利范围第1项之方法,其进一步特征为去除光阻层(8)。3.如申请专利范围第2项之方法,其进一步特征为生长第二氧化物层(14)于晶圆上。4.一种制造半导体装置之方法,其特征为:经由如申请专利范围第1项之方法形成半导体结构;以及由该半导体结构制造半导体装置。5.一种制造半导体装置之方法,该方法包括生长氧化物层(2)于半导体基板上,沈积一层光阻层(8)于氧化物层上,曝光与显像该光阻层,气相处理基板俾去除任何光阻残质,蚀刻氧化物层(2),去除剩余光阻,以及生长新氧化物层(14),其改良处特征为:于低功率反应性离子蚀刻基板俾替代气相处理基板,且其中该反应性离子蚀刻系使用射频偏压进行3至25秒时间。6.一种形成半导体结构之方法,该方法之特征为:于低功率反应性离子蚀刻基板,该基板之特征为:(a)一晶圆(4);(b)一位于晶圆上的第一氧化物层(2);(c)一位于第一氧化物层(2)上的第二氧化物层;以及(d)一位于第一氧化物层上之经显像后之光阻罩(18);蚀刻第二氧化物层(14);去除光阻罩(18);以及生长第三氧化物层(20)于基板上;其中该反应性离子蚀刻系使用射频偏压进行3至25秒时间。7.一种制造半导体装置之方法,其特征为:经由如申请专利范围第6项之方法形成半导体结构;以及由该半导体结构制造半导体装置。图式简单说明:第1图为去光阻处理后出现于晶圆基板上之非期望之深色点或缺陷之像片;第2图为形成于晶圆基板上之氧化物层之部分剖面图;第3图为于形成光阻层于氧化物层上后之基板之部分剖面图;第4图为光阻已经显像且基板已经去光阻处理后之晶圆基板之部分剖面图;第5图为氧化物层已经蚀刻后之晶圆基板之部分剖面图;第6图为光阻层已经去除后之晶圆基板之部分剖面图;第7图为新一层氧化物层已经生长后之晶圆基板之部分剖面图;第8图为于第一和第二氧化物层上形成浮动闸后之晶圆基板之部分剖面图;第9图为光阻层形成与显像后以及基板已经去光阻处理后之晶圆基板之部分剖面图;第10图为氧化物层已经蚀刻后之晶圆基板之部分剖面图;第11图为第三氧化物层已经生长后之晶圆基板之部分剖面图。 |
