| 主权项 |
1.一种从基板剥离待剥离层的方法,包括:在基板上设置第一材料层,并且形成待剥离层,该待剥离层系由至少包括第二材料层之层叠所构成的,该第二材料层与第一材料层相接触并位于设置有第一材料层之基板的上方;实施用以局部地减小第一材料层与第二材料层间之接触特性的处理;而后在第二材料层之内部部分和介面的其中一者处,藉由物理机构而从在其上设置有第一材料层的基板剥离待剥离层。2.如申请专利范围第1项所述的方法,其中,藉由物理机构的剥离系从实施用以减小接触性质之处理的区域来予以实施的。3.如申请专利范围第1项所述的方法,其中,用以局部地减小接触特性之处理为沿着基板的外侧边缘,局部地照射雷射光于第一材料层和第二材料层的其中一者之处理。4.如申请专利范围第1项所述的方法,其中,用以局部地减小接触性质之处理为沿着基板的外侧边缘,局部地从外部施加压力,以使第二材料层之内部部分及其介面部分的一部分损坏之其中一者的处理。5.如申请专利范围第1项所述的方法,其中,第二材料层在剥离之前具有-1达因/厘米2~-11010达因/厘米2的压应力,而第一材料层在剥离之前具有1达因/厘米2~11010达因/厘米2的张应力。6.一种从基板剥离待剥离层的方法,包括:在基板上设置第一材料层,并且形成待剥离层,该待剥离层系由至少包括第二材料层之层叠所构成的,该第二材料层与第一材料层相接触并位于设置有第一材料层之基板的上方;实施用以局部地减小在第一材料层与第二材料层间之接触特性的处理;而后黏结一支撑于待剥离层;以及在第二材料层之内部部分和介面的其中一者处,藉由物理机构而从在其上设置有第一材料层之基板剥离黏结有支撑的待剥离层。7.如申请专利范围第6项所述的方法,其中,藉由物理机构的剥离系从实施用以减小接触性质之处理的区域来予以实施的。8.如申请专利范围第6项所述的方法,其中,用以局部地减小接触特性之处理为沿着基板的外侧边缘,局部地照射雷射光于第一材料层和第二材料层的其中一者之处理。9.如申请专利范围第6项所述的方法,其中,用以局部地减小接触性质之处理为沿着基板的外侧边缘,局部地从外部施加压力,以使第二材料层之内部部分及其介面部分的一部分损坏之其中一者的处理。10.如申请专利范围第6项所述的方法,其中,第二材料层在剥离之前具有-1达因/厘米2~-11010达因/厘米2的压应力,而第一材料层在剥离之前具有1达因/厘米2~11010达因/厘米2的张应力。11.一种半导体装置的制造方法,包括:在基板上形成一包含有元件的待剥离层;黏结一支撑于包含有该元件的待剥离层,而后藉由物理机构而从基板剥离该支撑;以及黏结一转移体于包含有该元件的待剥离层,用以将该元件夹在支撑和转移体之间,其中,在剥离之前,实施用以局部地减小基板与待剥离层间之接触特性的处理。12.如申请专利范围第11项所述的方法,其中,藉由物理机构的剥离系从实施用以减小接触性质之处理的区域来予以实施的。13.如申请专利范围第11项所述的方法,其中,用以局部地减小接触特性之处理为沿着基板的外侧边缘局部地照射雷射之处理。14.如申请专利范围第11项所述的方法,其中,用以局部地减小接触特性之处理为沿着基板的外侧边缘,局部地从外部施加压力,以一部分损坏的处理。15.如申请专利范围第11项所述的方法,其中,藉由物理机构的剥离系藉由将气体吹到基板端面上来予以实施的。16.如申请专利范围第11项所述的方法,其中,藉由物理机构的剥离系藉由将气体吹到基板端面上,结合雷射照射一起来予以实施的。17.如申请专利范围第16项所述的方法,其中,藉由物理机构的剥离系藉由将气体吹到基板端面上,结合使用雷射光而从实施减小接触特性之处理的区域扫描一起来予以实施的。18.如申请专利范围第16项所述的方法,其中,气体为经加热之氮气。19.如申请专利范围第16项所述的方法,其中,雷射的振荡类型为连续振荡和脉冲振荡之其中一者。20.如申请专利范围第16项所述的方法,其中,发射出雷射光的雷射器系选自下列的群组:包含使用掺杂有Nd、Tm、及Ho其中一者之YAG、YVO4.YLF、及YAlO3其中一者之固体雷射器、准分子雷射器、CO2雷射器、氩雷射器、以及半导体雷射器。图式简单说明:图1A到图1D系实施例模式1的解释性视图;图2A到图2C系实施例模式2的解释性视图;图3A到图3D系实施例模式3的解释性视图;图4A到图4C系测试的解释性视图;图5A到图5D系显示主动矩阵基板之制造步骤的剖面图;图6A到图6C是显示主动矩阵基板之制造步骤的剖面图;图7系显示主动矩阵基板的剖面图;图8A到图8D系实施例2的解释性视图;图9A到图9C系实施例2的解释性视图;图10显示液晶模组;图11A到图11D系实施例4的解释性视图;图12A到图12B系实施例5的解释性视图;图13系实施例5的解释性视图;图14系实施例6的解释性视图;图15A到图15F显示电子装置之示例;图16A到图16C显示电子装置之示例;图17A到图17C系测试中的比较示例的解释性视图;以及图18系指示AlN膜和AlNO膜的透射率的曲线图。 |
